某物质的晶体内部一个截面上原子的排布情况如右图  所示,则该晶体的化学式可表示为 A.AB             B. A2B    C.AB2       

某物质的晶体内部一个截面上原子的排布情况如右图  所示,则该晶体的化学式可表示为 A.AB             B. A2B    C.AB2       

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某物质的晶体内部一个截面上原子的排布情况如右图

 

 
所示,则该晶体的化学式可表示为
A.AB             B. A2B   
C.AB2             D.A3B
答案
A
解析
从截面图形可看出,一个A周围结合四个B,而一个B原子周围结合四个A,则AB的个数相同,即该晶体化学式为AB
举一反三
硅酸盐与二氧化硅一样,都是以硅氧四面体作为基本结构单元。硅氧四面体可以用投影图表示成,其中O表示氧原子,中心黑点表示硅原子。硅氧四面体通过不同方式的连接可以组成各种不同的多聚硅酸根离子。下图为某无限长单链的多聚硅酸根离子:

试确定该阴离子中硅原子与氧原子的个数之比为
A.1︰2B.1︰3C.1︰4D.2︰5

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(12分)镍(Ni)可形成多种配合物,且各种配合物有广泛的用途。
(1)配合物Ni(CO)4常温下为液态,易溶于CCl4、苯等有机溶剂。固态Ni(CO)4属于____________晶体;基态Ni原子的电子排布式为_______________;
写出两种与配体CO互为等电子体微粒的化学式_____________、________________ 。
(2)某镍配合物结构如图所示,分子内含有的作用力有____________(填序号)。
A.氢键B.离子键C.共价键D.金属键 E.配位键
(3)很多不饱和有机物在Ni催化下可与H2发生加成反应,
如①CH2=CH2、②HC ≡ CH、③④HCHO等,其中碳原子采取sp2杂化的分子有_________(填序号);HCHO分子的空间构型为:__________。
(4)据报道,某种含有镁、镍和碳三种元素的晶体具有超导性,其结构如图所示。则该晶体的化学式为__________ 。晶体中每个镁原子周围距离最近的镍原子有_________个。
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下列物质按熔沸点由低到高的顺序排列的是
A.二氧化硅、氢氧化钠、萘B.钠、钾、铯
C.干冰、氧化镁、磷酸D.C2H6、C(CH3)4、CH3(CH2)3CH3

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(15分)
Ⅰ. 砷化镓为第三代半导体,以其为材料制造的灯泡寿命长.耗能少。已知砷化镓的晶胞结构如图所示。请回答下列问题:

(1)下列说法正确的是__________(填序号)
A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同B.第一电离能 As>Ga
C.电负性 As>GaD.原子半径 As>Ga
(2)砷化镓可由(CH33Ga和AsH3在700℃下反应制得,反应的方程式为__________;
(3)AsH3空间形状为___________;已知(CH33Ga为非极性分子,则其中镓原子的杂化方式为____________;
Ⅱ.金属铜的导电性仅次于银,居金属中的第二位,大量用于电气工业。
(4)请解释金属铜能导电的原因                     , Cu2+的核外电子排布式为__________________________。
(5)在硫酸铜溶液中通入过量的氨气,小心蒸发,最终得到深蓝色的[Cu(NH34]SO4晶体,晶体中含有的化学键除普通共价键外,还有                
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(10分)中国古代四大发明之一——黑火药,它的爆炸反应为

①除S外,上列元素的电负性从大到小依次为        
②在生成物中,A的晶体类型为                     A的电子式为                   
③。原子序数小于36的元素Q和T,在周期表中既处于同一周期又位于同一族,且原子序数T比Q多2。T的基态原子外围电子(价电子)排布为            的未成对电子数是         
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