如图所示,一束带负电荷e,质量为m的电子流,平行于x轴以速度v0射入第Ⅰ象限区域,为使这束电子能经过x轴上的b点,可在第Ⅰ象限某区域加一个正y方向的 匀强电场,

如图所示,一束带负电荷e,质量为m的电子流,平行于x轴以速度v0射入第Ⅰ象限区域,为使这束电子能经过x轴上的b点,可在第Ⅰ象限某区域加一个正y方向的 匀强电场,

题型:不详难度:来源:
如图所示,一束带负电荷e,质量为m的电子流,平行于x轴以速度v0射入第Ⅰ象限区域,为使这束电子能经过x轴上的b点,可在第Ⅰ象限某区域加一个正y方向的 匀强电场,场强大小为E,其范围沿y方向无限大,沿x轴方向宽度为s,已知oa=L,ob=2s.求电场右边界线跟b点的距离.魔方格
答案
电子在电场中的轨迹是一条抛物线,而且一定经过b点,要考虑b点可能在电场中,也可能在电场外,所以会出现几种可能的情况,无论电子在电场中
沿-y方向的偏移量总可以用下式表示:y0=
1
2
qE
m
t2

第一种情况:如果恰好y0=L,则电场的右边界恰好在b点,

魔方格

左边界在ob的中点,t=
s
v0
,将①式 的y0以L代入,L=
1
2
qE
m
s2
v02

所以电场右边界线跟b点的距离为零.
第二种情况:如果b点在电场内电场右边界跑到b点的右方,

魔方格

则s>x,L<y0,t=
x
v0
s
v0
,因为L=
1
2
qE
m
s2
v02
=
1
2
qE
m
x2
v02

所以x=v0


2ml
qE

结论:电场的左边界位于b点左方v0


2ml
qE
处,右边界距b点为向右(s-v0


2ml
qE
)处
第三种情况:整个电场都在b的左方,

魔方格

一定有y0=
1
2
qE
m
s2
v02
<L

注意到
L-y0
x
=
vy
v0
=
qE
m
s
v02

可求得x=
mv02
qEs
(L-y0)=
mv02
qEs
(L-
qEs
2mv02
)

可见电场的右边界在b点左方
m
v20
qEs
(L-
qEs
2m
v20
)
远处
 答:电场右边界线跟b点的距离可能值是:零或b点左方v0


2ml
qE
处或b点左方
m
v20
qEs
(L-
qEs
2m
v20
)
远处.
举一反三
如图所示,中子内有一个电荷量为+
2
3
e
的上夸克和两个电荷量为-
1
3
e
的下夸克,3个夸克都分布在半径为 r 的同一圆周上,则3个夸克在其圆心处产生的电场强度为(  )
A.
ke
r2
B.
ke
3r2
C.
ke
9r2
D.
2ke
3r2
魔方格
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如图所示,是表示在同一电场中a、b、c、d四点分别引入检验电荷时,测得的检验电荷的电荷量跟它所受电场力的函数关系图象,那么下列叙述正确的是(  )
A.这个电场是匀强电场
B.a、b、c、d四点的场强大小关系是Ed>Ea>Eb>Ec
C.a、b、c、d四点的场强大小关系是Ea>Ec>Eb>Ed
D.a、b、d三点的场强方向相同
魔方格
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某电场中A、B两点的场强大小关系是EA>EB,一正检验电荷在A、B两点所受电场力大小分别为FA和FB.则下列关于FA和FB大小关系的说法中正确的是(  )
A.FA>FBB.FA=FB
C.FA<FBD.无法比较FA和FB的大小
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如图所示,一个平行板电容器,板间距离为d,当对其加上电压后,A、B两板的电势分别为+φ和-φ,下述结论正确的是(  )
A.电容器两极板间可形成匀强电场,电场强度大小为E=
φ
d
B.电容器两极板间各点的电势,有的相同,有的不同;有正的,有负的,有的为零
C.若只减小两极板间的距离d,该电容器的电容C要增大,极板上带的电荷量Q不会增加
D.若有一个电子水平射入穿越两极板之间的电场,则电子的电势能不一定会减小
魔方格
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下面关于电场的性质说法正确的是(  )
A.电场强度大的地方,电荷所受的电场力一定较大
B.电场强度大的地方,电场线一定较密
C.匀强电场中两点的电势差大小仅与两点间的距离有关
D.两个等量异种点电荷连线的中点处场强为零
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