GaAs是仅次于硅的一种新型化合物半导体材料,其性能比硅更优越。Ga、As分别位于元素周期表的第ⅢA族、第ⅤA族。(1)Ga原子和As原子最外层的电子数分别是多

GaAs是仅次于硅的一种新型化合物半导体材料,其性能比硅更优越。Ga、As分别位于元素周期表的第ⅢA族、第ⅤA族。(1)Ga原子和As原子最外层的电子数分别是多

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GaAs是仅次于硅的一种新型化合物半导体材料,其性能比硅更优越。Ga、As分别位于元素周期表的第ⅢA族、第ⅤA族。
(1)Ga原子和As原子最外层的电子数分别是多少?
(2)GaAs中Ga和As的化合价分别是多少?
(3)第ⅣA族的C和Si也可以形成与GaAs类似的化合物,该化合物也能用作半导体材料。试推断该化合物的化学式。
答案
(1)3,5
(2)+3,-3
(3)SiC
解析
(1)最外层电子数等于元素的主族序数。
(2)奇数族元素化合价多表现为奇数价,As可表现为-3、+3、+5价,而Ga表现为+3、+5价,所以可知GaAs中As为-3价,而Ga为+3价。
(3)C、Si同处在第ⅣA族,其负化合价为-4,而C、Si非金属性较强的是C,故C呈-4价,则Si应呈+4价,模拟GaAs,即该化合物的化学式为SiC。
举一反三
若元素X、Y是短周期元素,两者能形成化合物X2Y3,已知X的原子序数为,则Y的原子序数不可能是(  )
A.+11B.-6C.+3D.-5

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下表是元素周期表的一部分
 
ⅠA
ⅡA
ⅢA
ⅣA
ⅤA
ⅥA
ⅦA
1

 
 
 
 
 
 
2





 
 
3
 


 
 


(1)表中元素⑩的氢化物的化学式为        ,此氢化物的还原性比元素⑨的氢化物的还原性    (填“强”或“弱”)。
(2)某元素原子的核外p电子数比s电子数少1,则该元素的元素符号是   ,其单质的电子式为         
(3)俗称为“矾”的一类化合物通常含有的共同的元素是          
(4)已知某些不同族元素的性质也有一定的相似性,如元素③与元素⑧的氢氧化物有相似的性质。写出元素③的氢氧化物与NaOH溶液反应的化学方程式
                   ,又如表中与元素⑦的性质相似的不同族的元素是     (填元素符号)。
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下列叙述中正确的是(  )
A.同周期的第ⅡA族和第ⅢA族元素的原子序数相差1
B.若A元素所在的周期有A种元素,B元素所在的周期有b种元素,且A、B为同主族的相邻元素,则A、B的原子序数相差a或b
C.多数情况下奇数族元素的常见化合价为奇数,偶数族元素的常见化合价为偶数
D.某主族元素在其某种化合物中显+5价,则该元素位于第ⅤA族
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在元素周期表中,从ⅢA族的硼到ⅦA族的砹作一条斜线,即为金属与非金属的分界线,依据规律应在这一条分界线附近寻找的是(    )
A.新型催化材料B.半导体材料
C.新型耐高温材料D.耐腐蚀的合金材料

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同位素是(    )
A.有相似化学性质的不同核素
B.同一种元素的不同核素
C.最外电子层上有不同电子数的原子
D.有相同质量数的不同元素的原子

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