GaAs(砷化镓)是仅次于硅的一种新型化合物半导体材料,其性能比硅更优越。Ga位于周期表的第ⅢA族,As位于周期表的第ⅤA族。(1)Ga和As的最外层电子数分别

GaAs(砷化镓)是仅次于硅的一种新型化合物半导体材料,其性能比硅更优越。Ga位于周期表的第ⅢA族,As位于周期表的第ⅤA族。(1)Ga和As的最外层电子数分别

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GaAs(砷化镓)是仅次于硅的一种新型化合物半导体材料,其性能比硅更优越。Ga位于周期表的第ⅢA族,As位于周期表的第ⅤA族。
(1)Ga和As的最外层电子数分别是:Ga________、As________。
(2)GaAs中Ga和As的化合价分别是:Ga________价、As________价。
(3)第ⅣA族的C和Si也可以形成类似的化合物半导体材料,该化合物半导体材料的化学式可表示为________。
答案
   硅  四氟化硅   二氧化硅   硅酸钠硅酸
解析
   由硅元素的特征性质推断。
举一反三
甲、乙为短周期不同主族元素组成的单质,丙、丁为氧化物,它们存在如下转化关系:

满足条件的甲和乙为(   )
A.碳和铜B.氟和氧C.碳和氢D.碳和硅

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在右图中填上元素周期表中与硅上下相邻、左右相邻的元素符号,并完成下列问题:

(1)其中最高价氧化物对应的水化物酸性最强的元素是_________,酸的化学式为______________。
(2)硅酸的酸性比_____________、_____________强,比_____________、____________弱。
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A、B、C、D是按原子序数由小到大排列的第2、3周期的元素的单质。B、E均为组成空气的成分。F的焰色反应呈黄色。在G中,非金属元素与金属元素的原子个数比为1∶2。在一定条件下,各物质之间的相互转化关系如下(图中部分产物未列出):

请填写下列空白:
(1)A是______________________,C是______________________。
(2)H与盐酸反应生成E的化学方程式是______________________________________。
(3)E与F反应的化学方程式是______________________________________________。
(4)F与G的水溶液反应生成I和D的离子方程式是____________________________。
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某化学兴趣小组对过量炭粉与氧化铁反应产物中气体的成分进行研究。

(1)假设该反应的气体产物全部是二氧化碳。
(2)设计方案:将一定量氧化铁在隔绝氧气的条件下与过量炭粉完全反应,测定参加反应的碳元素与氧元素的质量比。
(3)查阅资料:氮气不与炭、氧化铁发生反应,可用来隔绝氧气。
(4)实验:
操作步骤和实验现象
简答
①称取3.2 g氧化铁与2 g炭粉均匀混合,放入48.48 g的玻璃管中,按上图装置连接
①写出装置中编号仪器的名称:
A__________,B__________
②加热前,先通入一定量纯净、干燥的氮气
②其目的是_______________
③夹紧T处弹簧夹,加热一段时间,澄清石灰水变浑浊
③该现象说明__________
④完全反应后,冷却至室温,称得玻璃管和固体的总质量为52.24 g

(5)数据处理:经计算,参加反应的碳元素质量为_________g,氧元素质量为____________g。
(6)结论:根据数据处理结果,得出原假设不成立,理由是_____________________________。
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实验室有一种含有少量二氧化硅杂质的石灰石样品,某同学想准确测定该样品的纯度,他取用2.0 g样品于烧杯中,把20.0 mL稀盐酸分4次加入,充分作用后记录烧杯中固体质量如下表。请选择合适的数据并计算:
次序
稀盐酸/Ml
剩余固体/g
1
先加入5.0 mL
1.32
2
再加入5.0 mL
0.64
3
再加入5.0 mL
0.20
4
再加入5.0 mL
0.20
(1)该样品的纯度是多少?
(2)求所取用的稀盐酸的物质的量浓度?
(3)如果该同学选用稀硝酸测定样品纯度,你认为将对结果有何影响?
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