下列叙述不正确的是( )A 金刚石晶胞()中平均含有的碳原子数、碘晶体晶胞中平均含有的原子数均为8B 二氧化硅晶体中最小环上的氧原子数、氯化铯晶体中氯离子的配位
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下列叙述不正确的是( ) A 金刚石晶胞()中平均含有的碳原子数、碘晶体晶胞中平均含有的原子数均为8 B 二氧化硅晶体中最小环上的氧原子数、氯化铯晶体中氯离子的配位数均为6 C 锌晶胞中锌原子的配位数、氯化钠晶体中距离钠离子最近且相等的钠离子数均为12 D 33g CH≡C—CH=CH—CH3中所含的π键数、12g石墨中所含的碳碳键数均为1.5mol |
答案
B |
解析
氯化铯晶体中氯离子的配位数为8,B不正确,其余都是正确的,答案选B。 |
举一反三
(11分)某合金由A、B、C、D 四种元素组成,这四种元素位于周期表中前四周期,A是主要成分元素,A的基态原子中有4个未成对电子。B是第一主要的合金元素,B的含量不低于11%,否则不能生成致密氧化膜BO3防止腐蚀,B与A同周期,且原子核外未成对电子数最多。C位于周期表中第4行、第10列,D的基态原子的最外层电子数是其电子层数的2倍,未成对电子数与电子层数相等。 (1)A的原子结构示意图是 。A的一种晶体的晶胞如图甲,乙图中●和○表示的是同种原子,即乙是8个甲无隙并置的结果,若按甲图中虚线方向切乙,得到a~d图中正确的是 。
(2)写出B原子的基态的外围电子排布式_________________,与B同周期且基态原子最外层电子数与B相同的元素,可能位于周期表中的___区和 ___区。 (3)基态D原子的外围电子排布图是 。据报道,只含镁、C和D三种元素的晶体竟然具有超导性。该晶体的结构(如图示)可看作由镁原子和C原子在一起进行面心立方密堆积,该晶体的化学式为 。晶体中每个原子周围距离最近的原子有 个。
图中:●表示D原子,表示C原子,表示镁原子 (4)(已知=1.414)CXO晶体晶胞结构为NaCl型,由于晶体缺陷,x值为0.88,晶胞边长为4.28×10-10m。晶胞中两个C原子之间的最短距离为___________m(精确至0.01)。若晶体中的C分别为C2﹢、C3﹢,此晶体中C2﹢与C3﹢的最简整数比为_________。 |
(11分)T、X、Y、Z、Q、R、W为周期表前四周期元素,原子序数依次递增,其中某些元素的相关信息如下表:
元素
| 相关信息
| T
| T原子所处的周期数、族序数分别与其原子序数相等
| X
| X的基态原子中电子占据三种能量不同的原子轨道,且每种轨道中的电子数相同
| Z
| Z的基态原子价电子排布为
| Q
| 在该元素所在周期中,Q的基态原子的第一电离能最小
| R
| 3p能级上有1个电子
| W
| W的一种核素的质量数为65,中子数为36
| (1)X、Y、Q三种元素的电负性由大到小的顺序是 (用元素符号表示)。 (2)X与Y原子结合形成的X3Y4晶体,晶体结构与金刚石类似,则X3Y4晶体的熔点比金刚石要 (填“高”、“低”)。 (3)W2+的核外电子排布式为 。元素W与人体分泌物中的盐酸以及空气反应可生成超氧酸:W+HCl+O2=WCl+HO2,HO2(超氧酸)不仅是一种弱酸而且也是一种自由基,具有极高的活性。下列说法或表示错误的是 A.氧化剂是O2 B.HO2在碱中不能稳定存在 C.氧化产物是HO2 D.1 molW参加反应有1 mol电子发生转移 (4)X、Y、Z分别与氢元素可以构成A、B、C、D等多种粒子。其中A、B、C均为10电子微粒,D为18电子微粒。A为5原子核的+1价阳离子,则A+的中心原子杂化方式为_______. B为4原子核的+1价阳离子,则B+电子式为___________。C为4个原子核构成的分子,则与C互为等电子体的分子可以是_______(写结构式)。D分子中两元素的原子个数之比为1:1,则D为 (填“极性”或“非极性”)分子。某双原子单质分子E也为18电子微粒,E与水的反应的化学方程式为______________________。 (5)已知25℃、101 kPa条件下: 4R(s)+3Z2(g) 2R2Z3(s) △H=-2835.9 kJ/mol 4R(s)+2Z3(g) 2R2Z3(s) △H=-3119.1 kJ/mol 则16g Z2(g)完全转化为Z3(g)的△H= . |
(12分)已知:G、Q、R、T、X、Y、Z都是周期表中前四周期的元素,它们的核电荷数依次增大。G的简单阴离子最外层有2个电子,Q原子最外层电子数是内层电子数的两倍,X元素最外层电子数与最内层电子数相同;T2R的晶体类型是离子晶体,Y原子基态3p原子轨道上有2个未成对电子,其单质晶体类型属于原子晶体;在元素周期表中Z元素位于第10列。 回答下列问题: ⑴Z的核外电子排布式是 。 ⑵X以及与X左右相邻的两种元素,其第一电离能由小到大的顺序为 。 ⑶QR2分子中,Q原子采取 杂化,写出与QR2互为等电子体的一种分子的化学式: 。 ⑷分子式为Q2G6R的物质有两种,其中一种易溶于水,原因是 ;T的氯化物的熔点比Y的氯化物的熔点高,原因是 。 ⑸据报道,由Q、X、Z三种元素形成的一种晶体具有超导性,其晶体结构如图所示。晶体中距每个X原子周围距离最近的Q原子有 个。 |
(15分)氮化硅是一种重要的结构陶瓷材料,硬度大、耐磨损。利用SiO2和C的混合粉末在N2的气氛中加热至1300℃反应制得。请回答下列问题: (1)已知氮化硅的晶体结构中,原子间都以单键相连,且N原子和N原子,Si原子与Si原子不直接相连,同时每个原子都满足8电子稳定结构,则氮化硅的化学式____,晶体类型是 ; (2)基态Si原子的电子排布式为_________;Si和C相比,电负性较大的是_________, (3)在SiO2晶体结构中,O-Si-O的键角是_______,Si原子和周围的四个O原子组成的空间构型为 ,SiO2中Si的杂化类型_______; (4)氮化硅抗腐蚀能力强,一般不与其他无机酸反应,但能和氢氟酸反应生成硅酸。试写出该反应的化学方程式 。 (5)晶体硅的晶胞如图所示,则每个晶体硅的晶胞中含有 个硅原子。 |
【化学-物质结构与性质】(15分) 原子序数依次递增的甲、乙、丙、丁、戊是周期表中前30号元素,其中甲、乙、丙三元素的基态原子2p能级都有单电子,单电子个数分别是2、3、2;丁与戊原子序数相差18,戊元素是周期表中ds区的第一种元素。回答下列问题: (1)甲能形成多种常见单质,在熔点较低的单质中,每个分子周围紧邻的分子数为 ;在熔点很高的两种常见单质中,X的杂化方式分别为 、 。 (2)14g乙的单质分子中π键的个数为___________。 (3)+1价气态基态阳离子再失去一个电子形成+2价气态基态阳离子所需要的能量称为第 二电离能I2,依次还有I3、I4、I5…,推测丁元素的电离能突增应出现在第 电离能。 (4)戊的基态原子有 种形状不同的原子轨道; (5)丙和丁形成的一种离子化合物的晶胞结构如图,该晶体中阳离子的配位数为 。距一个阴离子周围最近的所有阳离子为顶点构成的几何体为 。已知该晶胞的密度为ρ g/cm3,阿伏加德罗常数为NA,求晶胞边长a=__________cm。 (用含ρ、NA的计算式表示)
(6)甲、乙都能和丙形成原子个数比为1:3的常见微粒,推测这两种微粒的空间构型为 |
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