A.适当增大磁感应强度 |
B.使磁场反向 |
C.适当增大电流 |
D.使电流反向 |
A.4×10-8N | B.2.5×10-5N | C.9×10-4N | D.4×10-2N |
A. | B. |
C.1 T | D. |
A.水平向左 | B.水平向右 | C.竖直向下 | D.竖直向上 |
A.I1:I2=cosθ:1 |
B.I1:I2=1:1 |
C.导体A所受安培力大小之比F1:F2=sinθ:cosθ |
D.斜面对导体A的弹力大小之比N1:N2=cos2θ:1 |
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