E |
R |
B2L2v |
R |
F+μmg |
m |
F |
m |
B2L2v |
mR |
△φ |
△t |
E |
R |
△φ |
R |
BLx |
R |
1 |
2 |
v | 20 |
B2L2v |
mR |
BLx |
R |
1 |
2 |
v | 20 |
A. | B. | C. | D. |
A.小磁针a | B.小磁针b | C.小磁针c | D.小磁针d |
A.ab边与bc边受到的安培力大小相等 |
B.cd边受到的安培力最大 |
C.cd边与ad边受到的安培力大小相等 |
D.ad边不受安培力作用 |
A.磁性可以更强 |
B.体积可以更小 |
C.容易控制磁性强弱和改变磁极 |
D.保持磁性的时间更长 |
A.水平向左 | B.水平向右 | C.竖直向上 | D.竖直向下 |
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