GaAs是仅次于硅的一种新型化合物半导体材料,其性能比硅更优越。Ga位于周期表的第ⅢA族,As位于周期表的第ⅤA族。(1)Ga和As的最外层电子数分别是
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GaAs是仅次于硅的一种新型化合物半导体材料,其性能比硅更优越。Ga位于周期表的第ⅢA族,As位于周期表的第ⅤA族。 (1)Ga和As的最外层电子数分别是 。 (2)GaAs中Ga和As的化合价分别是 。 (3)第ⅣA族的C和Si也可以形成类似的化合物半导体材料,该化合物半导体材料的化学式可表示为 。 |
答案
(1)3,5 (2)+3,-3 (3)SiC |
解析
Ga位于周期表的第ⅢA族,As位于周期表的第ⅤA族,因此Ga和As的最外层电子数分别是3和5。Ga是金属元素,As是非金属元素,因此GaAs中Ga和As的化合价分别是+3和-3。第ⅣA族的C和Si两元素,C元素的非金属性强,因此该化合物的化学式为SiC。 |
举一反三
铁氧体磁性材料在微波领域中有着重要作用,有一种铁、氧、钇三种元素组成的磁性材料,经测定该材料中钇、铁原子数之比为3∶5,氧的质量分数约为26.0%,则该材料的化学式为 ,钇、铁的化合价分别为 。 |
下列一定属于碳族元素的是( )A.既难得到电子也难失电子的原子 | B.能形成RO2的元素 | C.氧化物的水化物化学式为H2RO3的元素 | D.最高正价与最低负价绝对值的差为零的元素(H除外) |
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下列离子方程式书写正确的是( )A.在Na2SiO3溶液中通入过量CO2:
+CO2+H2O====H2SiO3↓+![](http://img.shitiku.com.cn/uploads/allimg/20200114/20200114183822-72989.gif) | B.在澄清石灰水中通入过量CO2: OH-+CO2====![](http://img.shitiku.com.cn/uploads/allimg/20200114/20200114183822-96134.gif) | C.在硫酸氢钠溶液中加入小苏打溶液:
+H+====CO2↑+H2O | D.在碳酸氢钙溶液中加入过量烧碱溶液: | Ca2++ +OH-====CaCO3↓+H2O |
硅能与强碱溶液作用生成硅酸盐和氢气:Si+2NaOH+H2O====Na2SiO3+2H2↑对于这个反应,下列说法正确的是( )A.Si是氧化剂 | B.Si是还原剂 | C.NaOH和H2O是氧化剂 | D.水是氧化剂 |
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A、B、C为短周期中相邻三元素,A、B同周期,B、C同主族。已知此三元素原子的最外层电子数之和为13,而其质子数之和为27,则此A、B、C三元素为( ) A.P、Si、C B.N、C、Si C.B、C、Si D.Al、Si、C |
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