.已知A、B、C、D都是短周期元素,它们的原子半径大小为B>C>D>A。B的基态原子中电子占据三种能量不同的原子轨道,且每种轨道中的电子总数相
题型:不详难度:来源:
.已知A、B、C、D都是短周期元素,它们的原子半径大小为B>C>D>A。B的基态原子中电子占据三种能量不同的原子轨道,且每种轨道中的电子总数相同;D原子有2个未成对电子。A、B、D三种元素组成的一种化合物M是新装修居室中常含有的一种有害气体。E的硫酸盐溶液是制备波尔多液的原料之一。回答下列问题(用元素符号或化学式表示)。 (1)M分子中B原子轨道的杂化类型为 ,1mol M中含有σ键的数目为 。 (2)化合物CA3的沸点比化合物BA4的高,其主要原因是 。 (3)写出与BD2互为等电子体的C3-的结构式 。 (4)E+的核外电子排布式为 ,下图是E的某种氧化物的晶胞结构示意图,氧的配位数为 。
(5)向E的硫酸盐溶液中通入过量的CA3,写出该反应的离子方程式: 。 |
答案
(1)sp2 3NA(或3×6.02×1023) (2分) (2)NH3分子间能形成氢键 (2分) (3)[N=N=N]- (2分) (4)1s22s22p63s23p63d10 4 (每空2分) (5)Cu2++4NH3=[Cu(NH3) 4]2+ (2分) |
解析
略 |
举一反三
CoCl3·4NH3用H2SO4溶液处理再结晶,SO42-可以取代化合物中的Cl-,但NH3的含量不变,用过量的AgNO3处理该化合物,有氯总量的1/3以AgCl析出,这种配合物应该表示为:A.[Co(NH3)4]Cl3 | B.[Co(NH3)4Cl3] | C.[Co(NH3)4Cl]Cl2 | D.[Co(NH3)4Cl2]Cl |
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(10分)已知X、Y、Z、W是短周期中四种非金属元素,它们的原子序数依次增大。X元素原子形成的离子只有一个质子;Z、W在元素周期表中处于相邻的位置,它们的单质在常温下均为无色气体;Y原子的最外层电子数是内层电子数的2倍。 (1)写出下列字母所代表元素的名称:X ;Y ;Z ;W 。 (2)X单质和Z单质在一定条件下反应生成化合物E,写出该反应的化学方程式(并注明反应条件) ;Y单质和W单质(足量)在加热条件下反应生成化合物F,则F分子的空间构型为 ,电子式为 。 (3)这四种元素可组成X、Y、Z、W原子个数比为5∶1∶1∶3的化合物,该化合物的水溶液与足量浓NaOH溶液反应的离子方程式为: ___________________________________________________________________ |
(10分)有A、B、C、D、E、F六种元素。A是宇宙中最丰富的元素;B是周期表中电负性数值最大的元素;C的基态原子中2p轨道有三个未成对的单电子;F原子核外电子数是B与C核外电子数之和;D是主族元素,且与副族元素E同周期;E能分别形成红色(或砖红色)的E2O和黑色的EO两种氧化物;D与B可形成离子化合物,其晶胞结构如右图所示。请回答下列问题。
(1)E元素原子基态时的外围电子排布式为 。 (2)A2F分子中F原子的杂化类型是 ,F的气态氧化物FO3分子的键角为 。 (3)CA3极易溶于水,其原因是 ,试判断CA3溶于水后,形成CA3·H2O的最合理结构为 (选填字母)。 (4)从晶胞结构图中可以看出,D跟B形成的离子化合物的电子式为 ;
该离子化合物晶体的密度为ρ(g·cm-3)。,则晶胞的体积是 (只要求列出算式)。 |
下列说法正确的是 A.由C、H、O、N四种元素组成的化合物一定是离子化合物 B.ⅠA族除氢元素外的所有元素的金属性比ⅡA族元素的金属性强 C.含有最高价元素的化合物不一定具有很强的氧化性 D.化学键存在于原子之间,也存在于分子之间 |
(12分) “物质结构与性质” (1)第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为 。在GaN晶体中,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为 。在四大晶体类型中,GaN属于 晶体。 (2)铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是:一方是能够提供孤电子对的原子或离子,另一方是具有 的原子或离子
(3)CuCl2溶液与乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配离子:请回答下列问题: ① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是 。 ②SO2分子的空间构型为 。与SnCl4互为等电子体的一种离子的化学式为 。 ③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为 。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均属于胺,但乙二胺比三甲胺的沸点高的多,原因是 。
④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有 。 a.配位键 b.极性键 c.离子键 d.非极性键 ⑤CuCl的晶胞结构如右图所示,其中Cl原子的配位数为 。 |
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