如图是CsCl晶体的晶胞结构（晶体中最小重复单元），已知晶体中两个最近的Cs＋核间距离为a cm，氯化铯的式量为M，NA为阿伏加德罗常数，则氯化铯晶体的密度为（

题型：不详难度：来源：

如图是CsCl晶体的晶胞结构（晶体中最小重复单元），已知晶体中两个最近的Cs^＋核间距离为a cm，氯化铯的式量为M，N_A为阿伏加德罗常数，则氯化铯晶体的密度为（）。

A．g·cm^－3	B．g·cm^－3
C．g·cm^－3	D．g·cm^－3

答案

解析

晶体的密度等于晶体的质量与晶体在该质量下的体积的比值（即晶体的密度＝

），据式量可知，1 mol CsCl的质量为M克，故需求出1 mol CsCl的体积。因晶体是由晶胞构成的，而1个CsCl晶胞的体积为a³ cm³，因此，此题解题的关键是找出1 mol CsCl晶体中的晶胞数目。由晶胞的示意图可知，1个晶胞中含1个Cs^＋和1个Cl^－，所以，在1 mol CsCl晶体中含N_A个晶胞。由此可得，晶体的密度为

＝

g·cm^－3。

举一反三

Ⅰ.已知下列金属晶体：Na、Po、K、Fe、Cu、Mg、Zn、Au。其堆积方式为：
（1）简单立方堆积的是____________________________________________；
（2）钾型的是______________________________________________________；
（3）镁型的是______________________________________________________；
（4）铜型的是_____________________________________________________。
Ⅱ.A、B、C、D都是短周期元素，原子半径D>C>A>B，已知：A、B处于同一周期，A、C处于同一主族；C原子核内的质子数等于A、B原子核内的质子数之和；C原子最外层电子数是D原子最外层电子数的4倍。
试回答：
（1）这四种元素分别是：A______，B______，C______，D______（填元素名称）。
（2）这四种元素单质的熔点由高到低的顺序是________（填元素名称）。
（3）C的固态氧化物是________晶体，D的固态单质是________晶体。
（4）写出A、B、D组成的化合物与B、C组成的化合物相互反应的化学方程式_______________________________________________________________。

题型：不详难度：| 查看答案

氮化硅是一种新合成的超硬、耐磨、耐高温的材料。下列对氮化硅的叙述中，正确的是（）。

A．氮化硅是分子晶体

B．氮化硅是原子晶体

C．氮化硅是离子晶体

D．氮化硅化学式为Si₄N₃

题型：不详难度：| 查看答案

下表是某些原子晶体的熔点和硬度

原子晶体	金刚石	氮化硼	碳化硅	石英	硅	锗
熔点/℃	3 900	3 000	2 700	1 710	1 410	1 211
硬度	10	9.5	9.5	7	6.5	6.0

分析表中的数据，判断下列叙述正确的是（）。
①构成原子晶体的原子种类越多，晶体的熔点越高
②构成原子晶体的原子间的共价键键能越大，晶体的熔点越高
③构成原子晶体的原子的半径越大，晶体的硬度越大
④构成原子晶体的原子的半径越小，晶体的硬度越大
A．①② B．③④ C．①③ D．②④

题型：不详难度：| 查看答案

通常人们把拆开1 mol某化学键所吸收的能量看成该化学键的键能。键能的大小可以衡量化学键的强弱，也可用于估算化学反应的反应热（ΔH），化学反应的ΔH等于反应中断裂旧化学键的键能之和与反应中形成新化学键的键能之和的差。

化学键	Si—O	Si—Cl	H—H	H—Cl	Si—Si	Si—C
键能/kJ·mol^－1	460	360	436	431	176	347

请回答下列问题：
（1）比较下列两组物质的熔点高低（填“＞”或“＜”）。SiC____________Si；SiCl₄____________SiO₂。
（2）下图立方体中心的“●”表示硅晶体中的一个原子，请在立方体的顶点用“●”表示出与之紧邻的硅原子。

（3）工业上高纯硅可通过下列反应制取：SiCl₄（g）＋2H₂（g）

Si（s）＋4HCl（g）该反应的反应热ΔH＝________ kJ·mol^－1。

题型：不详难度：| 查看答案

下列晶体中由原子直接构成的单质有（）。

A．硫

B．生铁

C．金刚石

D．金属镁

题型：不详难度：| 查看答案