(8分)选择下列物质填空(填写序号)①氯化钙 ②干冰 ③过氧化钠 ④氯化铵 ⑤铜晶体 ⑥氩晶体 ⑦晶体硅 ⑧石墨 (1)固态时能导电的原子晶体有
题型:不详难度:来源:
(8分)选择下列物质填空(填写序号) ①氯化钙 ②干冰 ③过氧化钠 ④氯化铵 ⑤铜晶体 ⑥氩晶体 ⑦晶体硅 ⑧石墨 (1)固态时能导电的原子晶体有 (2)熔化时不破坏化学键的化合物有 (3)含有非极性共价键的离子晶体有 (4)晶体内同时存在共价键、范德华力和金属键的是 |
答案
⑴⑦ ⑵② ⑶③ ⑷ ⑧ |
解析
略 |
举一反三
(10分)计算题: 已知:晶体“二氧化硅”可由晶体“硅”衍生得到;下图是晶体“硅”及“二氧化硅”的晶胞示意图:
试回答: (1)请写出SiO2晶体的两种主要用途: (4分) (2)请写出与晶体SiO2化学键及晶体类型完全相同的两种物质的名称: (2分) (3)已知:二氧化硅晶体的密度为ρg/cm3 , 试求二氧化硅晶体中最近的两个Si原子之间的距离的表达式?(保留原表达式,不用化简)(4分) |
已知A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素,它们的核电荷数A<B<C<D<E<F。其中A原子核外有三个未成对电子;化合物B2E的晶体为离子晶体,E原子核外的M层中只有两对成对电子;C元素是地壳中含量最高的金属元素;D单质的晶体类型在同周期的单质中没有相同的;F原子核外最外层电子数与B相同,其余各层电子均充满。请根据以上信息,回答下列问题:(答题时,A、B、C、D、E、F用所对应的元素符号表示)
(1)A的简单氢化物分子中其中心原子采取________杂化,E的最高价氧化物分子的空间构型是____________。 (2)B的氯化物的熔点比D的氯化物的熔点________(填高或低),理由是_____________. (3)A、B、C、D的第一电离能由小到大的顺序为 _________________。(用元素符号表示) (4)A、F形成某种化合物的晶胞结构如右图所示(其中A显-3价),则其化学式为____________;(每个球均表示1个原子) (5)F的价电子轨道表示式是______________,A、C形成的化合物具有高沸点和高硬度,是一种新型无机非金属材料,则其化学式为______________________。 |
Ⅰ.第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似。试回答: (1)Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为 。 (2)下列说法正确的是 (选填序号)。 A.砷和镓都属于p区元素 B.GaN、GaP、GaAs均为分子晶体 C.电负性:As>Ga D.第一电离能Ga>As (3)GaAs是由(CH3)3Ga和AsH3在一定条件下制得,同时得到另一物质,该物质分子是 (填“极性分子”或“非极性分子”)。(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为 。 Ⅱ.氧化钙晶体的晶胞如图所示,试回答:
(1)晶体中Ca2+的配位数为 。 (2)已知Ca2+的半径为a cm,O2-的半径为b cm,NA代表阿伏加德罗常数, 该晶体的密度为 g/cm3。(用含a、b、NA的代数式表示) |
下列各组中,含有离子晶体、分子晶体、原子晶体各一种的是A.KCl、 H2SO4、S | B.金刚石、NH4Cl、CH4 | C.HF、 SiO2、 Al | D.金刚石、SiO2、Na2CO3 |
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(14分)由氧化物经氯化作用生成氯化物是工业生产氯化物的常用方法,Cl2、CCl4是常用的氯化剂。如: Na2O+Cl2=2NaCl+O2 CaO+Cl2=CaCl2+O2 SiO2+2CCl4=SiCl4+2COCl2 Cr2O3+3CCl4=2CrCl3+3COCl2 请回答下列问题: ⑴写出铬的原子结构示意图为 与铬同周期的所有元素的基态原子中最外层电子数与铬原子相同的元素有____________(填元素符号),其中一种金属的晶胞结构如图所示,该晶胞中含有金属原子的数目为________。
⑵ CCl4分子中C原子采取 杂化成键。 ⑶ COCl2俗称光气,分子中C原子采取sp2杂化成键。光气分子的结构式是 ,其中碳氧原子之间共价键是 (填序号) a.2个σ键 b.2个π键 c.1个σ键、1个π键
⑷ CaO晶胞如右图所示,CaO晶体中Ca2+的配位数为 。CaO晶体和NaCl晶体中离子排列方式相同,其晶格能分别为:CaO-3401kJ•mol-1、NaCl-786kJ•mol-1。导致两者晶格能差异的主要原因是 。 |
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