某离子晶体中晶体结构最小的重复单元如图:A为阴离子,在正方体内,B为阳离子,分别在顶点和面心,则该晶体的化学式为A.B2AB.BA2C.B7A4 D.B4A7

某离子晶体中晶体结构最小的重复单元如图:A为阴离子,在正方体内,B为阳离子,分别在顶点和面心,则该晶体的化学式为A.B2AB.BA2C.B7A4 D.B4A7

题型:不详难度:来源:
某离子晶体中晶体结构最小的重复单元如图:A为阴离子,在正方体内,B为阳离子,分别在顶点和面心,则该晶体的化学式为
A.B2AB.BA2C.B7A4 D.B4A7

答案
A
解析

晶胞独占位于立方体内部的阴离子A,完全占有的阴离子A的个数为8。晶胞占有位于立方体面心上的阳离子B的,占有位于立方体顶点上的阳离子B的,完全占有的阳离子B的个数为6×+8×=4。综合以上分析,可得该离子晶体的化学式为B2A。
举一反三
(8分)选择下列物质填空(填写序号)
①氯化钙 ②干冰 ③过氧化钠 ④氯化铵 ⑤铜晶体 ⑥氩晶体 ⑦晶体硅 ⑧石墨 
(1)固态时能导电的原子晶体有                    
(2)熔化时不破坏化学键的化合物有                 
(3)含有非极性共价键的离子晶体有                 
(4)晶体内同时存在共价键、范德华力和金属键的是               
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(10分)计算题:
已知:晶体“二氧化硅”可由晶体“硅”衍生得到;下图是晶体“硅”及“二氧化硅”的晶胞示意图:

试回答:
(1)请写出SiO2晶体的两种主要用途:                                  (4分)
(2)请写出与晶体SiO2化学键及晶体类型完全相同的两种物质的名称:           (2分)
(3)已知:二氧化硅晶体的密度为ρg/cm3 , 试求二氧化硅晶体中最近的两个Si原子之间的距离的表达式?(保留原表达式,不用化简)(4分)
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已知A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素,它们的核电荷数A<B<C<D<E<F。其中A原子核外有三个未成对电子;化合物B2E的晶体为离子晶体,E原子核外的M层中只有两对成对电子;C元素是地壳中含量最高的金属元素;D单质的晶体类型在同周期的单质中没有相同的;F原子核外最外层电子数与B相同,其余各层电子均充满。请根据以上信息,回答下列问题:(答题时,A、B、C、D、E、F用所对应的元素符号表示)

(1)A的简单氢化物分子中其中心原子采取________杂化,E的最高价氧化物分子的空间构型是____________。
(2)B的氯化物的熔点比D的氯化物的熔点________(填高或低),理由是_____________.
(3)A、B、C、D的第一电离能由小到大的顺序为
_________________。(用元素符号表示)                      
(4)A、F形成某种化合物的晶胞结构如右图所示(其中A显-3价),则其化学式为____________;(每个球均表示1个原子)
(5)F的价电子轨道表示式是______________,A、C形成的化合物具有高沸点和高硬度,是一种新型无机非金属材料,则其化学式为______________________。
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Ⅰ.第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似。试回答:
(1)Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为                          
(2)下列说法正确的是            (选填序号)。
A.砷和镓都属于p区元素   B.GaN、GaP、GaAs均为分子晶体
C.电负性:As>Ga                  D.第一电离能Ga>As
(3)GaAs是由(CH3)3Ga和AsH3在一定条件下制得,同时得到另一物质,该物质分子是  (填“极性分子”或“非极性分子”)。(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为        
Ⅱ.氧化钙晶体的晶胞如图所示,试回答:

(1)晶体中Ca2+的配位数为             
(2)已知Ca2+的半径为a cm,O2-的半径为b cm,NA代表阿伏加德罗常数,
该晶体的密度为         g/cm3。(用含a、b、NA的代数式表示)
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下列各组中,含有离子晶体、分子晶体、原子晶体各一种的是
A.KCl、 H2SO4、SB.金刚石、NH4Cl、CH4
C.HF、 SiO2、 AlD.金刚石、SiO2、Na2CO3

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