某离子晶体中晶体结构最小的重复单元如图：A为阴离子，在正方体内，B为阳离子，分别在顶点和面心，则该晶体的化学式为A．B2AB．BA2C．B7A4　D．B4A7

题型：不详难度：来源：

某离子晶体中晶体结构最小的重复单元如图：A为阴离子，在正方体内，B为阳离子，分别在顶点和面心，则该晶体的化学式为

A．B₂A

B．BA₂

C．B₇A₄　

D．B₄A₇

答案

解析

晶胞独占位于立方体内部的阴离子A，完全占有的阴离子A的个数为8。晶胞占有位于立方体面心上的阳离子B的，占有位于立方体顶点上的阳离子B的，完全占有的阳离子B的个数为6×+8×=4。综合以上分析，可得该离子晶体的化学式为B₂A。

举一反三

（8分）选择下列物质填空(填写序号)
①氯化钙　②干冰 ③过氧化钠 ④氯化铵 ⑤铜晶体 ⑥氩晶体 ⑦晶体硅 ⑧石墨
（1）固态时能导电的原子晶体有
（2）熔化时不破坏化学键的化合物有
（3）含有非极性共价键的离子晶体有
（4）晶体内同时存在共价键、范德华力和金属键的是

题型：不详难度：| 查看答案

（10分）计算题：
已知：晶体“二氧化硅”可由晶体“硅”衍生得到；下图是晶体“硅”及“二氧化硅”的晶胞示意图：

试回答：
（1）请写出SiO₂晶体的两种主要用途：（4分）
（2）请写出与晶体SiO₂化学键及晶体类型完全相同的两种物质的名称：（2分）
（3）已知：二氧化硅晶体的密度为ρg/cm³ , 试求二氧化硅晶体中最近的两个Si原子之间的距离的表达式？（保留原表达式，不用化简）（4分）

题型：不详难度：| 查看答案

已知A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素，它们的核电荷数A<B<C<D<E<F。其中A原子核外有三个未成对电子；化

合物B₂E的晶体为离子晶体，E原子核外的M层中只有两对成对电子；C元素是地壳中含量最高的金属元素；D单质的晶体类型在同周期的单质中没有相同的；F原子核外最外层电子数与B相同，其余各层电子均充满。请根据以上信息，回答下列问题：（答题时，A、B、C、D、E、F用所对应的元素符号表示）

（1）A的简单氢化物分子中其中心原子采取________杂化，E的最高价氧化物分子的空间构型是____________。
（2）B的氯化物的熔点比D的氯化物的熔点________（填高或低），理由是_____________.
（3）A、B、C、D的第一电离能由小到大的顺序为
_________________。（用元素符号表示）
（4）A、F形成某种化合物的晶胞结构如右图所示（其中A显－3价），则其化学式为____________；（每个球均表示1个原子）
（5）F的价电子轨道表示式是______________，A、C形成的化合物具有高沸点和高硬度，是一种新型无机非金属材料，则其化学式为______________________。

题型：不详难度：| 查看答案

Ⅰ．第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。试回答：
（1）Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为                          。
（2）下列说法正确的是            （选填序号）。
A．砷和镓都属于p区元素   B．GaN、GaP、GaAs均为分子晶体
C．电负性：As＞Ga                  D．第一电离能Ga＞As
（3）GaAs是由(CH₃)₃Ga和AsH₃在一定条件下制得，同时得到另一物质，该物质分子是  （填“极性分子”或“非极性分子”）。(CH₃)₃Ga中镓原子的杂化方式为        。
Ⅱ．氧化钙晶体的晶胞如图所示，试回答：

（1）晶体中Ca²⁺的配位数为。
（2）已知Ca²⁺的半径为a cm，O^2-的半径为b cm，N_A代表阿伏加德罗常数，
该晶体的密度为 g/cm³。（用含a、b、N_A的代数式表示）

题型：不详难度：| 查看答案

下列各组中，含有离子晶体、分子晶体、原子晶体各一种的是

A．KCl、 H₂SO₄、S	B．金刚石、NH₄Cl、CH₄
C．HF、 SiO₂、 Al	D．金刚石、SiO₂、Na₂CO₃

题型：不详难度：| 查看答案

某离子晶体中晶体结构最小的重复单元如图：A为阴离子，在正方体内，B为阳离子，分别在顶点和面心，则该晶体的化学式为A．B2AB．BA2C．B7A4 D．B4A7