如图所示，平行线代表电场线，但未标明方向，一个带正电、电量为10－6 C的微粒在电场中仅受电场力作用，当它从A点运动到B点时动能增加了10－5 J，已知A点的电

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如图所示，平行线代表电场线，但未标明方向，一个带正电、电量为10^－6 C的微粒在电场中仅受电场力作用，当它从A点运动到B点时动能增加了10^－5 J，已知A点的电势为－10 V，则以下判断正确的是

[ ]
A．微粒的运动轨迹如图中的虚线1所示
B．微粒的运动轨迹如图中的虚线2所示
C．B点电势为零
D．B点电势为－20 V

答案

举一反三

若带正电荷的小球只受到电场力的作用，则它在任意一段时间内[ ]
A.一定沿电场线由高电势处向低电势处运动
B.一定沿电场线由低电势处向高电势处运动
C.不一定沿电场线运动，但一定由高电势处向低电势处运动
D.不一定沿电场线运动，也不一定由高电势处向低电势处运动

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半导体靠自由电子（带负电）和空穴（相当于带正电）导电，分为p型和n型两种．p型半导体中空穴为多数载流子；n型半导体中自由电子为多数载流子．现在一个学生研究小组用以下实验可以判定一块半导体材料是p型还是n型：将材料放在匀强磁场中，通以图示方向的电流I，用电压表比较上表面M和下表面N的电势高低，则（　　）

A．若M电势高，就是p型半导体

B．若M电势高，就是n型半导体

C．若N电势高，就是p型半导体

D．若N电势高，就是n型半导体

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如图所示，虚线a、b、c、d表示匀强电场中的4个等势面．两个带电粒子M、N（重力忽略不计）以平行于等势面的初速度射入电场，运动轨迹分别如图中MPN和NQM所示．己知M是带正电的带电粒子．则
（　　）

A．N一定也带正电

B．a等势面的电势高于b等势面的电势

C．带电粒子N的动能减小，电势能增大

D．带电粒子M的动能减小，电势能增大

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在一匀强电场区域中，有A、B、C、D四点恰好位于一平行四边形的四个顶点上，已知A、B、C三点电势分别为φ_A=1V，φ_B=4V，φ_C=0，则D点电势φ_D大小为（　　）

A．-3V

B．2V

C．0

D．1V

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如图所示，a、b、c、d是某匀强电场中的四个点，它们正好是一个矩形的四个顶点，ab=cd=L，ad=bc=2L，电场线与矩形所在平面平行．已知点a电势为20V，b点电势为24V，d点电势为12V．一个质子从b点以v₀的速度射入此电场，入射方向与bc成45⁰，一段时间后经过c点．不计质子的重力．下列判断正确的是（　　）

A．c点电势高于a点电势

B．强场的方向由b指向d

C．质子从b运动到c所用的时间为

D．质子从b运动到c，电场力做功为4eV

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