若带正电荷的小球只受到电场力的作用,则它在任意一段时间内[ ]A.一定沿电场线由高电势处向低电势处运动B.一定沿电场线由低电势处向高电势处运动C.不一定
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若带正电荷的小球只受到电场力的作用,则它在任意一段时间内 |
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A.一定沿电场线由高电势处向低电势处运动 B.一定沿电场线由低电势处向高电势处运动 C.不一定沿电场线运动,但一定由高电势处向低电势处运动 D.不一定沿电场线运动,也不一定由高电势处向低电势处运动 |
答案
AC |
举一反三
半导体靠自由电子(带负电)和空穴(相当于带正电)导电,分为p型和n型两种.p型半导体中空穴为多数载流子;n型半导体中自由电子为多数载流子.现在一个学生研究小组用以下实验可以判定一块半导体材料是p型还是n型:将材料放在匀强磁场中,通以图示方向的电流I,用电压表比较上表面M和下表面N的电势高低,则( )A.若M电势高,就是p型半导体 | B.若M电势高,就是n型半导体 | C.若N电势高,就是p型半导体 | D.若N电势高,就是n型半导体 |
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如图所示,虚线a、b、c、d表示匀强电场中的4个等势面.两个带电粒子M、N(重力忽略不计)以平行于等势面的初速度射入电场,运动轨迹分别如图中MPN和NQM所示.己知M是带正电的带电粒子.则 ( )A.N一定也带正电 | B.a等势面的电势高于b等势面的电势 | C.带电粒子N的动能减小,电势能增大 | D.带电粒子M的动能减小,电势能增大 |
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在一匀强电场区域中,有A、B、C、D四点恰好位于一平行四边形的四个顶点上,已知A、B、C三点电势分别为φA=1V,φB=4V,φC=0,则D点电势φD大小为( )![魔方格](http://img.shitiku.com.cn/uploads/allimg/20200111/20200111183349-93530.png) |
如图所示,a、b、c、d是某匀强电场中的四个点,它们正好是一个矩形的四个顶点,ab=cd=L,ad=bc=2L,电场线与矩形所在平面平行.已知点a电势为20V,b点电势为24V,d点电势为12V.一个质子从b点以v0的速度射入此电场,入射方向与bc成450,一段时间后经过c点.不计质子的重力.下列判断正确的是( )A.c点电势高于a点电势 | B.强场的方向由b指向d | C.质子从b运动到c所用的时间为 | D.质子从b运动到c,电场力做功为4eV |
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下列说法中正确的是( )A.电荷在电场中电势高的地方,具有的电势能一定大 | B.在电场中电势相等的地方,场强也一定相等 | C.不带电的物体,电势一定为零 | D.电势为零的物体,可能带电 |
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