如图所示，在真空中的A、B两点分别放置等量异种点电荷，在A、B两点间取一正五角星形路径abcdefghija，五角星的中心O与A、B的中点重合，其中af连线与A

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如图所示，在真空中的A、B两点分别放置等量异种点电荷，在A、B两点间取一正五角星形路径abcdefghija，五角星的中心O与A、B的中点重合，其中af连线与AB连线垂直。现有一电子沿该路径逆时针移动一周，下列判断正确的是

[ ]
A．a点和f点的电势相等
B．b点和j点的电场强度相同
C．电子从e点移到f点的过程中，电势能减小；从f点移到g点的过程中，电势能增大
D．若A、B两点处的点电荷电荷量都变为原来的2倍，则A、B连线中点O点的场强也变为原来的2倍

答案

举一反三

如图所示，平行线代表电场线，但未标明方向，一个带正电、电量为10^－6 C的微粒在电场中仅受电场力作用，当它从A点运动到B点时动能增加了10^－5 J，已知A点的电势为－10 V，则以下判断正确的是

[ ]
A．微粒的运动轨迹如图中的虚线1所示
B．微粒的运动轨迹如图中的虚线2所示
C．B点电势为零
D．B点电势为－20 V

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若带正电荷的小球只受到电场力的作用，则它在任意一段时间内[ ]
A.一定沿电场线由高电势处向低电势处运动
B.一定沿电场线由低电势处向高电势处运动
C.不一定沿电场线运动，但一定由高电势处向低电势处运动
D.不一定沿电场线运动，也不一定由高电势处向低电势处运动

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半导体靠自由电子（带负电）和空穴（相当于带正电）导电，分为p型和n型两种．p型半导体中空穴为多数载流子；n型半导体中自由电子为多数载流子．现在一个学生研究小组用以下实验可以判定一块半导体材料是p型还是n型：将材料放在匀强磁场中，通以图示方向的电流I，用电压表比较上表面M和下表面N的电势高低，则（　　）

A．若M电势高，就是p型半导体

B．若M电势高，就是n型半导体

C．若N电势高，就是p型半导体

D．若N电势高，就是n型半导体