如图,足够长的光滑平行金属导轨MN、PQ固定在一水平面上,两导轨间距L=0.2m,电阻R=0.4Ω,电容C=2mF,导轨上停放一质量m=0.1kg、电阻r=0.

如图,足够长的光滑平行金属导轨MN、PQ固定在一水平面上,两导轨间距L=0.2m,电阻R=0.4Ω,电容C=2mF,导轨上停放一质量m=0.1kg、电阻r=0.

题型:不详难度:来源:
如图,足够长的光滑平行金属导轨MN、PQ固定在一水平面上,两导轨间距L=0.2m,电阻R=0.4Ω,电容C=2mF,导轨上停放一质量m=0.1kg、电阻r=0.1Ω的金属杆CD,导轨电阻可忽略不计,整个装置处于方向竖直向上B=0.5T的匀强磁场中.现用一垂直金属杆CD的外力F沿水平方向拉杆,使之由静止开始向右运动.求:
(1)若开关S闭合,力F恒为0.5N,CD运动的最大速度;
(2)若开关S闭合,使CD以(1)问中的最大速度匀速运动,现使其突然停止并保持静止不动,当CD停止下来后,通过导体棒CD的总电量;
(3)若开关S断开,在力F作用下,CD由静止开始作加速度a=5m/s2的匀加速直线运动,请写出电压表的读数U随时间t变化的表达式.魔方格
答案
(1)CD以最大速度运动时做匀速直线运动:即:
   F=BIL
   I=
BLvm
R+r

得:vm=
F(R+r)
B2L2
=25m/s 
(2)CD以25m/s的速度匀速运动时,电容器上的电压为UC,则有:
  Uc=
R
R+r
BLv
=2.0V
电容器下极板带正电
电容器带电:Q=CUC=4×10-3A.
CD停下来后,电容通过MP、CD放电,R与CD棒并联,则通过CD的电量为:
QCD=
R
R+r
Q
=3.2×10-3C
(3)电压表的示数为:U=IR=
BLv
R+r
R

因为金属杆CD作初速为零的匀加运动,v=at,
所以:U=
BLv
R+r
R=
BLR
R+r
at

代入得 U=0.4t(V),即电压表的示数U随时间均匀增加
答:
(1)若开关S闭合,力F恒为0.5N,CD运动的最大速度是25m/s;
(2)当CD停止下来后,通过导体棒CD的总电量是3.2×10-3C;
(3)电压表的读数U随时间t变化的表达式是U=0.4t(V).
举一反三
在温控电路中,通过热敏电阻阻值随温度的变化可实现对电路相关物理量的控制作用.如图所示电路,R1为定值电阻,R2为半导体热敏电阻(温度越高电阻越小),C为电容器.当环境温度降低时(  )
A.电容器C的带电量增大
B.电压表的读数增大
C.电容器C两板间的电场强度减小
D.R1消耗的功率增大
魔方格
题型:不详难度:| 查看答案
如图所示,电源的电动势和内阻分别为E、滑动变阻器的滑片P由a向b缓慢移动的过程中,下列各物理量变化情况为(  )
A..电容器所带电荷量一直增加
B.电容器所带电荷量先减少后增加
C.电源的总功率先减少后增加
D.电压表的读数先减少后增加
魔方格
题型:盐城三模难度:| 查看答案
如图电路中,电源电动势为E、内阻为r,闭合开关S,增大可变电阻R的阻值后,电压表示数的变化量为△U.在这个过程中,下列判断正确的是(  )
A.电阻R1两端的电压减小,减小量等于△U
B.电容器的带电量减小,减小量小于C△U
C.电压表的示数U和电流表的示数I的比值变大
D.电压表示数变化量△U和电流表示数变化量△I的比值不变
魔方格
题型:不详难度:| 查看答案
将电容为1.2×10-11F的平行板电容器接在3V的电池上,则电容器所带电荷量为(  )
A.0.4×10-11CB.1.8×10-11CC.3.6×10-11CD.7.2×10-11C
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半导体指纹传感器:在一块半导体基板上阵列了10万金属颗粒,传感器阵列的每一点是一个金属电极,充当电容器的一极,其外面是绝缘的表面.手指贴在其上与其构成了电容器的另一极,由于手指指纹深浅不同,嵴和峪与半导体电容感应颗粒形成的电容值大小不同,其工作过程是通过对电容感应颗粒预先充电到某一参考电压,然后对每个电容的放电电流进行测量,设备将采集到不同的数值汇总,也就完成了指纹的采集,则(  )
A.指纹的嵴处与半导体基板上对应的金属颗粒距离近,电容小
B.指纹的峪处与半导体基板上对应的金属颗粒距离远,电容小
C.对每个电容感应颗粒都充电至某一参考电压时,在手指靠近时,各金属电极电量减小
D.对每个电容感应颗粒都充电至某一参考电压时,在手指远离时,各金属电极均处于充电状态
题型:不详难度:| 查看答案
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