“类推”是常用的学习方法,但有时会产生错误结论。下列类推的结论中,正确的 ( )A.ⅣA族元素氢化物沸点顺序是GeH4 >SiH4 >CH4则ⅤA族
题型:不详难度:来源:
“类推”是常用的学习方法,但有时会产生错误结论。下列类推的结论中,正确的 ( )A.ⅣA族元素氢化物沸点顺序是GeH4 >SiH4 >CH4 则ⅤA族元素氢化物沸点顺序也是AsH3 >PH3 >NH3 | B.第二周期元素氢化物稳定性顺序是HF>H2O>NH3 则第三周期元素氢化物稳定性顺序也是HCl>H2S>PH3 | C.晶体中有阴离子,必有阳离子;则晶体中有阳离子,也必有阴离子 | D.干冰(CO2)是分子晶体;则二氧化硅(SiO2)是分子晶体 |
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答案
B |
解析
试题分析:A不正确,因为氨气分子间存在氢键,则ⅤA族元素氢化物沸点顺序也是NH3>AsH3 >PH3;C不正确,例如金属晶体中没有阴离子,只有阳离子;D不正确,二氧化硅是原子晶体,答案选B。 点评:该题是中等难度的试题,试题设计新颖,基础性强,主要是考查学生灵活运用基础知识解决实际问题的能力。该题的关键是明确规律都是相对的,需要具体问题、具体分析,有利于提升学生的学科素养。 |
举一反三
(1)A元素的负一价离子和B元素的正一价离子的电子层结构都与氩相同,A的离子结构示意图为 ,B元素名称为 ; (2)C元素基态原子的M层全充满,N层没有成对电子,只有一个未成对电子,C的元素基态原子的外围电子排布式为 . (3)D元素的原子序数为33,该元素原子的核外电子共有 种不同的运动状态,此元素原子的核外电子排布式是 (4)N≡N的键能为942kJ·mol-1,N—N单键的键能为247kJ·mol-1,通过计算说明N2中的 键更稳定(填“σ”或“π”)。 (5)下列4种物质熔、沸点由高到低排列为 (填序号). ①金刚石 ②晶体锗 ③晶体硅 ④金刚砂 |
氮是地球上极为丰富的元素。
(1)Li3N晶体中氮以N3-存在,基态N3-的核外电子排布式为 。 (2)X+中所有电子正好充满K、L、M三个电子层,它与N3-形成的晶体结构如图所示。X的元素符号是 ,与同一个N3-相连的X+有 个。 |
下表为元素周期表的一部分,a、b、c…为元素周期表中前4周期的部分元素。 回答下列问题: (1)d3+的未成对电子数为 个; (2)请比较e、f、g三种元素的第一电离能由大到小的顺序 (写元素符号) (3)请写出h元素原子价电子轨道表示式 ; (4)ea3分子的电子式是 ,其分子的空间构型是 ,分子中e原子的杂化类型是 。 |
X、Y、Z、W为按原子序数由小到大排列的四种短周期元素,已知: ①X元素原子价电子排布式为ns2np2,且原子半径是同族元素中最小的。 ②Y元素是地壳中含量最多的元素;W元素的电负性略小于Y元素,在W原子的电 子排布中,p轨道上只有1个未成对电子。 ③Z+与Y 2-具有相同的电子层结构; 请回答: (1)Z2Y2的电子式为 ,含有的化学键类型为 ,Z2Y2为 晶体。 (2)X、Y、Z三种元素所形成的常见化合物的名称为 ;XY2的结构式为 ,分子的立体构型为 。 (3)X、Y、Z、W四种元素所形成的单质中,熔点最高、硬度最大的是 (填名称);晶体ZW的熔点比晶体XW4明显高的原因是 。
(4)ZW晶体的结构示意图如图。已知:ZW晶体的密度为ρ,摩尔质量为M,阿伏伽德罗常数为NA,则ZW晶体中两个最近的Z离子中心间的距离d可以表示为d= 。 |
已知A和B为短周期元素,其原子的第一至第四电离能如下表所示:
电离能(kJ/mol)
| I1
| I2
| I3
| I4
| A
| 932
| 1821
| 15390
| 21771
| B
| 738
| 1451
| 7733
| 10540
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(1)某同学根据上述信息,推断B的核外电子排布如图所示,该同学所画的电子排布图违背了 。 (2)ACl2分子中A的杂化类型为 。 (3)氢气作为一种清洁能源,必须解决它的储存问题,C60可用作储氢材料。已知金刚石中的C-C的键长为154.45pm,C60中C-C键长为145-140pm,有同学据此认为C60的熔点高于金刚石,你认为此观点是否正确 (填“正确”或“不正确”),并阐述作出判断的理由: 。 (4)科学家把C60和钾掺杂在一起制造了一种富勒烯化合物,其晶胞如图所示,该物质在低温时是一种超导体。写出基态钾原子的价电子排布式 ,该物质中K原子和C60分子的个数比为 。
(5)C、Si、N原子电负性由大到小的顺序是 ,NCl3分子的VSEPR模型为 。 |
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