(1)已知2KMnO4+16HCl==2KCl+2MnCl2+5Cl2↑+8H2O,该反应中,氧化剂是 ,氧化产物是 。若生成氯气11.2L
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(1)已知2KMnO4+16HCl==2KCl+2MnCl2+5Cl2↑+8H2O,该反应中,氧化剂是 ,氧化产物是 。若生成氯气11.2L(标准状况),则转移电子的物质的量为 mol。 (2)配置0.2mol/L的NaCl溶液450mL, 需要用到的仪器有托盘天平(含砝码)、药匙、烧杯、玻璃棒、_____________和______,需要用托盘天平称取NaCl__________g。 (3)漂白粉的有效成分是_______________ (4)已知每1 克氢气完全燃烧生成水蒸气时将放出121kJ热量,写出该反应的热化学方程式___________________________________________ |
答案
(1) KMnO4 , Cl2。 1 mol。 (2)500mL容量瓶 胶头滴管,5.9g。 (3)Ca(ClO)2 (4)热化学方程式 2H2(g)+O2(g) ="=" 2H2O(g) △H=-484kJ/mol |
解析
略 |
举一反三
(10分,每空2分)(1)下列反应中属于氧化还原反应的是 。(填序号)A.MnO2 + 4HCl(浓)= MnCl2 + Cl2↑+ 2H2O | B.SO2+2H2S = 2H2O+3S↓ | C.Ba(OH)2 + H2SO4 = BaSO4↓+2H2O | D.Cl2+2NaOH =" NaCl" +NaClO+H2O | (2)已知KMnO4与浓盐酸发生如下反应: 2KMnO4 + 16HCl(浓) ="==" 2KCl + 2MnCl2 + 5Cl2↑+8H2O。 在上述反应中,氧化剂是 。用单线桥法标出此反应的电子转移方向和数目。 (3)有下列6种物质:K2SO4、K2SO3、I2、H2SO4、KIO3、H2O组成一个氧化还原反应,已知在反应中K2SO3失去电子。请回答下列问题: ①将这6种物质分别填入下面对应的横线上,组成一个未配平的化学方程式: ________+________+H2SO4→ ________+________+________(填化学式) ②反应中1mol氧化剂得到______mol电子。 |
(6分)已知砒霜As2O3与Zn可以发生如下反应:As2O3+6Zn + 6H2SO4 = 2AsH3 + 6ZnSO4+ 3H2O (1)请用双线桥法标出电子转移的方向和数目。 (2)As2O3在上述反应中显示出来的性质是( ) (3)该反应的氧化产物是 ,还原产物是 。 (4)若生成 0.1 mol AsH3,则转移的电子数为 |
(13分)复分解反应和氧化还原反应都是重要的反应类型。回答下列问题: (1)“盐+酸—→新盐+新酸”是复分解反应中的一种类型。在Na2SiO3溶液中滴入盐酸,生成的新酸是 (写化学式)。 (2)硫化铝投入水中发生反应:Al2S3+6H2O====2Al(OH)3↓+3H2S↑,该反应 (填“属于”或“不属于”)复分解反应。 (3)Ca(HCO3)2与Ca(OH)2反应属于复分解反应,写出反应的化学方程式 ; (4)工业上可用氨与Cl2反应检验输送氯气的管道是否漏气,反应方程式如下: 8NH3+3Cl2====6NH4Cl+N2。 ①请在上述方程式中表示出电子转移的方向和数目。 ②该反应中,________ __是还原剂;若反应中有1.5mol氧化剂参与反应,则发生转移的电子的物质的量为______ _mol,被氧化的物质有 mol。 (5)若将Cl2通入KI溶液中会发现无色溶液变成棕黄色后又褪色。这是因为发生如下2个反应: ① ; ②I2+Cl2+H2O=====HIO3+ (不必配平)。 |
(12分)用双线桥表示下列反应中得失电子的情况,并指明氧化剂、还原剂、氧化产物、还原产物: 3FeO + 10HNO3 ="== " 3Fe(NO3)3 + NO↑ + 5H2O ( ) ( ) ( ) ( ) 其中,氧化性:__________ > ___________ ;还原性:___________ > ___________ |
(18分)以硫铁矿(主要成分为FeS2)为原料制备氯化铁晶体(FeCl3·6H2O)的工艺流程如下:
回答下列问题: (1)将煅烧黄铁矿的化学方程式补充完整: + Fe2O3+ SO2↑;该反应中,FeS2为 剂;SO2为 产物,其常常用于制备硫酸,反应过程中的化学反应方程式为 、 ; (2)酸溶及后续过程中均需保持盐酸过量,其目的是 、 ; (3)通氯气氧化后时,发生的主要反应的离子方程式为 ; (4)该过程产生的污染空气的气体有三种,尾气均可用强碱溶液吸收,这些反应的离子方程式为 ;。 (5)从FeCl3溶液中得到FeCl3.6H2O晶体的操作为 。 |
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