电子构型为[Ar]3d54s2的元素是 [ ]A．稀有气体 B．过渡元素 C．主族元素 D．卤族元素

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电子构型为[Ar]3d⁵4s²的元素是 [     ]
A．稀有气体
B．过渡元素
C．主族元素
D．卤族元素

答案

举一反三

XY₂是离子化合物，X和Y的离子的电子层结构与氖原子的相同，则X、Y为（　　）

A．Na和Cl

B．K和S

C．Ca和F

D．Mg和F

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原子核外的M电子层和L电子层最多可容纳的电子数（　　）

A．大于

B．小于

C．等于

D．不能肯定

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下列粒子中：
①Mg²⁺
②
魔方格

③O^2-
④K⁺，
其核外电子数相同的是（　　）

A．①②③

B．②③④

C．①②④

D．①③④

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下列有关化学用语的表达方式错误的是（　　）

A．甲烷的电子式：

B．氟化钠的电子式：
魔方格

C．硫离子的核外电子排布式：1s²2s²2p⁶3s²3p⁴

D．碳-12原子：

126

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Ga和As在一定条件下可以合成GaAs，GaAs是一种新型化合物半导体材料，其性能比硅更优越．多元化合物薄膜太阳能电池材料为无机盐，其主要包括砷化镓、硫化镉、硫化锌及铜锢硒薄膜电池等．
（1）Ga在元素周期表的位置是______，As的原子结构示意图______．
（2）Ga的原子核外电子排布式为：______．
（3）GaCl₃和AsF₃的空间构型分别是：GaCl₃______，AsF₃______．
（4）第IV A族的C和Si也可以形成类似的化合物半导体材料SiC，其结构跟金刚石相似，则SiC属于______晶体，并写出其主要的物理性质______ （任2种）．
（5）第一电离能：As______Se（填“＞”、“＜”或“=”）．
（6）硫化锌的晶胞中（结构如图所示），硫离子的配位数是______．
（7）二氧化硒分子的空间构型为______，写出它的1个等电子体的分子式______．魔方格

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