现有部分前四周期元素的性质或原子结构如下表:元素编号元素性质或原子结构A第三周期中的半导体材料BL层s电子数比p电子数少1C第三周期主族元素中其第一电离能最大D
题型:不详难度:来源:
现有部分前四周期元素的性质或原子结构如下表:
元素编号
| 元素性质或原子结构
| A
| 第三周期中的半导体材料
| B
| L层s电子数比p电子数少1
| C
| 第三周期主族元素中其第一电离能最大
| D
| 前四周期呀中其未成对电子数最多
| (1)B单质分子中,含有________个键和__________个键,元素B的气态氢化物的空间型为________________。 (2)C单质的熔点____________A单质的熔点(填“高于”或“低于”),其原因是:_______________ (3)写出元素D基态原子的电子排布式:______________________。 |
答案
答案:(1)1 2 ,三角锥形 (2)低于 Cl2晶体属于分子晶体,Si晶体属于原子晶体,原子晶体中原子之间以很强的共价键结合,而分子晶体中分子间以较弱的分子间作用力结合,因而原子晶体的熔点比分子晶体的熔点高 (3)1s22s22p63s23p63d54s1 |
解析
A为第三周期中的半导体材料,得出A为Si;B的L层s电子数比p电子数少1,得出B为N;C在第三周期主族元素中其第一电离能最大,为Cl;D在前四周期呀中其未成对电子数最多,所以为Cr. |
举一反三
请完成下列各题: (1)前四周期元素中,基态原子中未成对电子与其所在周期数相同的元素有 种。 (2)第ⅢA、ⅤA原元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为 。在GaN晶体中,每个Ga原子与 个N原子相连,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为 。在四大晶体类型中,GaN属于 晶体。 (3)在极性分子NCl3中,N原子的化合物为―3,Cl原子的化合价为+1,请推测NCl3水解的主要产物是 (填化学式)。 |
X、Y、Z、W原子系数依次增加的短周期元素。已知①X、Y的氢化物的熔沸点在所在族中是最高,且常温下X、Y的氢化物的状态不同。②Y与Z是同一族。下列说法正确的是( ) A.四种元素中,原子半径最大的是W | B.X元素的最高价氧化物对应的水化物酸性最强 | C.单质的氧化性:W > Z | D.气态氢化物的熔点和沸点:Z> Y |
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X、Y两种元素均为短周期元素,X元素的原子所具有的电子层数为其最外层电子数的二分之一。下列有关判断中,正确的是 A.X元素在周期表中的位置只能是第二周期第ⅣA族 | B.若X的常见简单阴离子X能跟Y的单质发生氧化还原反应,则说明Y的非金属性比X的强 | C.若Y的非金属性比X的强,则与同一种还原剂反应时,一个Y原子得到的电子数一定比一个X原子得到的电子数少 | D.若X能形成XO、XO和X2O,Y能形成YO和XO,则X、Y一定在同一周期 |
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下表是三个不同短周期部分元素的原子半径及其主要化合价:
元素代号
| W
| R
| X
| Y
| Z
| 原子半径/nm
| 0.037
| 0.157
| 0.066
| 0.070
| 0.077
| 主要化合价
| +1
| +1
| -2
| -3、+5
| +2、+4
| 试回答下列问题: (1)五种元素中原子半径最大的元素在周期表中位于 。 (2)写出下列有关反应的化学方程式: ①Z的单质与Y元素的最高价氧化物对应的水化物反应: ; ②R2X2与ZX2反应: 。 (3)X可与Z形成一种有恶臭味的气体,该气体与氧气发生反应的物质的量之比为1:2,且反应前后气体的总体积不变,试写出该气体分子(分子中各原子最外层均满足8e结构,且含有非极性键)的电子式: 。 |
据报道2008年11月9日德国科学家利用数亿个镍原子(28Ni)对数亿个(82Pb)连续轰击数天后制得一种新原子110X(暂用X表示),它属于一种新元素—第110号元素。这种新元素是有史以来制得最重的元素,存在时间不到千分之一秒。经推知它属于过渡元素。下列关于该元素的叙述中正确的是( )A.这种原子(110X)的中子数为110 | B.这种元素肯定是金属元素 | C.这种元素与铅属同一族 | D.这种元素为第六周期元素 |
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