多晶硅生产工艺流程如下：（1）粗硅粉碎的目的是     。分离SiHCl3 (l)和SiCl4(l)的方法为      。（2）900℃以上， H2与SiHCl

题型：不详难度：来源：

多晶硅生产工艺流程如下：

（1）粗硅粉碎的目的是     。分离SiHCl₃ (l)和SiCl₄(l)的方法为      。
（2）900℃以上， H₂与SiHCl₃发生如下反应：SiHCl₃ (g)+ H₂ (g)Si (s) + 3HCl (g)    ΔH ＞0，其平衡常数表达式为K =      。为提高还原时SiHCl₃的转化率，可采取的措施有     。
（3）该流程中可以循环使用的物质是      。
（4）SiCl₄与上述流程中的单质发生化合反应，可以制得SiHCl₃，其化学方程式为      。

答案

（1）增大接触面积，加快反应速率，充分反应(2分)    蒸馏(2分)
（2）K=  (3分)    升高温度或增大氢气与 SiHC1₃的物质的量之比或增大氢气浓度(2分)
（3）HCl、H₂(2分)
（4）3SiCl₄+Si+2H₂=4SiHCl₃(2分)

解析

试题分析： （1）粗硅粉碎长大了表面积，加快反应速率；SiHCl₃和SiCl₄均为液态而且互相溶解，根们沸点不同，用蒸馏法分离。
（2）Si为固态，表达式中无Si，使平衡向正反应方向移动，能提高还原时SiHCl₃的转化率。
（3））HCl、H₂在流程中分别作反应物和生成物，所以可循环使用。
（4）结合流程，对比SiHCl₃和SiCl₄，可得出反应物还有和H₂和Cl₂，然后写出化学方程式。