匀强磁场的磁感应强度为B，宽度为d，边界为CD和EF．一电子从CD边界外侧以速率v0垂直射入匀强磁场，入射方向与CD边界间夹角为θ．已知电子的质量为m，电荷量为

题型：不详难度：来源：

匀强磁场的磁感应强度为B，宽度为d，边界为CD和EF．一电子从CD边界外侧以速率v₀垂直射入匀强磁场，入射方向与CD边界间夹角为θ．已知电子的质量为m，电荷量为e，为使电子能从磁场的另一侧EF射出，求电子的速率v₀至少多大？若θ角可取任意值，半径的最小值是多少？

答案

如图所示．电子恰好从EF边射出时，由几何知识可得：
r+rcosθ=d…①
 由牛顿第二定律：Bev0=m

v 20

r

     
得：r=

mv0

Be

…②
由①②得：v₀=

Bed

m(1+cosθ)

…③
故电子要射出磁场，速率至少应为 

Bed

m(1+cosθ)

    
由③式可知，θ=0°时，v₀=

Bed

2m

最小，
由②式知此时半径最小，r_min=

d

2

，
也可由轨迹分析得出上述结论．
答：为使电子能从磁场的另一侧EF射出，求电子的速率v₀至少为 

Bed

m(1+cosθ)

；若θ角可取任意值，v₀的最小值是

d

2

．