2007年诺贝尔物理学奖授予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家．某探究小组查到某磁敏电阻在室温下的电阻随磁感应强度变化曲线如图甲所示，其中R、R0分别表示有、
题型：门头沟区一模难度：来源：
| A．闭合开关S，图乙中只增加磁感应强度的大小时，伏特表的示数增大 |
| B．闭合开关S，图乙中只增加磁感应强度的大小时，安培表的示数增大 |
| C．闭合开关S，图乙中只改变磁场方向原来方向相反时，伏特表的示数减小 |
| D．闭合开关S，图乙中只改变磁场方向原来方向相反时，安培表的示数减小 |
答案
A、闭合开关S，图乙中只增加磁感应强度的大小时，磁敏电阻的阻值变大，所以伏特表的示数增大，故A正确，B错误；
C、磁敏电阻的阻值的磁感应强度的方向无关，所以闭合开关S，图乙中只改变磁场方向原来方向相反时，伏特表的示数不变，故CD错误．
故选A
举一反三
（1）当ab处在磁场区域时，ab中的电流为多大？ab两端的电压为多大？ab所受磁场力的大小和方向？
（2）整个过程中通过ab的电流为交变电流，其有效值为多大？
| A．θ=0时，杆产生的电动势为2Bav | ||||
B．θ=
| ||||
C．θ=0时，杆受的安培力大小为
| ||||
D．θ=
|
| A．L1变亮，L2变亮 | B．L1变亮，L2变暗 |
| C．L1变暗，L4变暗 | D．L1变暗，L4变亮 |
| A．路端电压变大 |
| B．电流表的示数变大 |
| C．电源内阻消耗的功率变大 |
| D．R2上的功率变大 |
| A．V的读数变大，A的读数变小 |
| B．V的读数变大，A的读数变大 |
| C．V的读数变小，A的读数变小 |
| D．V的读数变小，A的读数变大 |
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