第三周期元素X，它的原子核外最外层实现8电子稳定结构所需的电子数小于次外层和最内层的电子数之差，且等于最内层电子数的整数倍．下列说法正确的是（ ）A．X元素最
题型：不详难度：来源：
第三周期元素X，它的原子核外最外层实现8电子稳定结构所需的电子数小于次外层和最内层的电子数之差，且等于最内层电子数的整数倍．下列说法正确的是（ ）| A．X元素最高价氧化物对应的水化物一定是强酸 | | B．X元素的氢化物的化学式一定为H2X | | C．X元素在常温下稳定存在的氧化物一定能与烧碱反应 | | D．X的单质一定不是良好的半导体材料 |
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答案
第三周期元素X，有3个电子层，次外层和最内层的电子数之差为8-2=6，它的原子核外最外层实现8电子稳定结构所需的电子数小于6，且等于最内层电子数的整数倍，则X元素原子核外最外层实现8电子稳定结构所需的电子数为2或4，若为2，则X为硫元素，符合题意；若为4，则X为硅元素，符合题意．
A、Si元素最高价氧化物对应的水化物是硅酸，酸性比碳酸弱，属于弱酸，故A错误；
B、Si元素的氢化物的化学式为SiH4等，具有和烃类似的物质，故B错误；
C、Si元素在常温下稳定存在的氧化物为二氧化硅，二氧化硅能与烧碱反应生成硅酸钠，三氧化硫、二氧化硫都能与烧碱反应，故C正确；
D、硅单质是良好的半导体材料，故D错误．
故选：C． |
举一反三
| 某元素最高正价与负价的绝对值之差为4，该元素的离子与跟其核外电子排布相同的离子形成的化合物是（ ） |
U、V、W、X、Y、Z六种原子序数依次增大前20号元素，其中U和X，W和Y分别在同一主族，Y的原子序数是W的原子序数两倍，Z的原子序数是U和X的原子序数之和．根据以上条件回答下列问题：
（1）写出U、V组成的阴离子（U、V都满足8电子稳定结构）和Z的阳离子形成的化合物的电子式：______；
（2）W元素可分别U、Y形成多种常见的阴离子．某溶液是由其中若干种阴离子组成的无机钠盐溶液，为了检验该溶液中的阴离子，分别取两份溶液进行如下实验：
①第一份溶液中加入足量盐酸溶液，只产生无色气体；
②第二份溶液中加入足量的BaCl2溶液，有白色沉淀产生，再加入足量的稀HNO3，白色沉淀质量减少．
由此得出的结论是______． |
已知四种短周期元素的离子：aA2+、bB+、cC3-、dD-都具有相同电子层结构，则下列叙述正确的是（ ）| A．原子半径A＞B＞D＞C | | B．原子序数a＞b＞d＞c | | C．离子半径C3-＞D-＞B+＞A2+ | | D．单质的还原性A＞B＞D＞C |
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已知X+、Y2+、Z-、W2-四种离子均具有相同的电子层结构．下列关于X、Y、Z、W四种元素的描述，不正确的是（ ）| A．原子半径：X＞Y＞Z＞W | | B．原子序数：Y＞X＞Z＞W | | C．原子最外层电子数：Z＞W＞Y＞X | | D．金属性：X＞Y |
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A、B、C三种元素的原子具有相同的电子层数，而B的核电荷数比A大2，C原子的电子总数比B原子电子总数多4.1molA单质跟盐酸反应可置换出11.2L（标准状况下）氢气，这时A转变成与氖原子具有相同电子层结构的离子．试回答：
（1）A是______元素，B是______元素，C是______元素．
（2）写出A元素的单质在氧气燃烧时生成物的电子式：______．
（3）写出由A元素和C元素组成化合物的形成过程：______．
（4）分别写出A、B最高价氧化物对应水化物分别跟C的气态氢化物水溶液反应的离子方程式：______．
（5）A离子的氧化性比B离子的氧化性______，这是由于______． |
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