下列物质的熔点或液化温度由高到低顺序的是( )A.金刚石>晶体硅>碳化硅B.CF4>CCl4>CBr4C.NH3>N2>H2D.纯镁
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下列物质的熔点或液化温度由高到低顺序的是( )A.金刚石>晶体硅>碳化硅 | B.CF4>CCl4>CBr4 | C.NH3>N2>H2 | D.纯镁>镁铝合金>纯铝 |
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答案
C |
解析
试题分析:A不正确,应该是金刚石>碳化硅>晶体硅;B不正确,应该是CCl4>CBr4>CF4;合金的熔点一般高于各成分金属的熔点,D不正确,应该是镁铝合金>纯铝>纯镁,所以正确的答案选C。 点评:晶体熔沸点高低比较的一般规律是:原子晶体,熔沸点大小和共价键的强弱有关系;金属晶体中,形成金属键的金属阳离子半径越小,电荷数越多,金属键越强,熔沸点越高;分子晶体中形成分子晶体的分子间作用力越大,熔沸点越高;离子晶体中形成离子键的离子半径越小,电荷数越多,离子键越强,熔沸点越高。 |
举一反三
有关晶体的下列说法中不正确的是( )A.在NaCl晶体中,距Na+最近的Cl-形成正八面体 | B.在NaCl晶体中,每个晶胞平均占有4个Na+ | C.在CsCl晶体中,每个晶胞平均占有8个Cs+ | D.铜晶体为面心立方堆积,铜原子的配位数(距离一个铜原子最近的其它铜原子的个数)为12 |
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如图所示的是某原子晶体A空间结构的一个单元,A与某物质B反应生成C,其实质是每个A—A键中插入一个B原子,则C物质的化学式为
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以下四种物质,其中A、B各代表一种离子晶体的晶胞,C代表一种合金的晶胞,D则代表一个由A、B原子组成的团簇分子,其中化学式错误的是( ) A.AB B.XY3Z C.EF D.AB |
下列指定粒子的个数比为2∶1的是( )A.Be2+中的电子和质子 | B.Na2O2中的阳离子和阴离子 | C.NaHCO3晶体中的阳离子和阴离子 | D.BaO2(过氧化钡)固体中的阴离子和阳离子 |
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在某晶体中,与某一个微粒x距离最近且等距离的另一个微粒y所围成的空间构型为正八面体形(如图)。该晶体不是( )
A.NaCl(x=Na+,y=Cl-) | B.CsCl(x=Cs+,y=Cl-) | C.金属钋(Po) | D.MgO晶体 |
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