铝的逸出功是4.2eV,将波长为200nm的光照射铝的表面.已知1nm=10-9m,光速c=3.0×108m/s,1eV=1.6×10-19J,普朗克常量h=6
题型:不详难度:来源:
铝的逸出功是4.2eV,将波长为200nm的光照射铝的表面.已知1nm=10-9m,光速c=3.0×108m/s,1eV=1.6×10-19J,普朗克常量h=6.63×10-34J⋅S.则光电子的最大初动能为______J;铝金属的遏止电压______V;铝的截止频率______Hz.(结果保留两位有效数字) |
答案
根据据逸出功W0=hv0,得截止频率:v0==1.0×1015Hz 根据光电效应方程:EK=hv-W0 ① 光速、波长、频率之间关系为:v=② 由①②解得:EK=3.2×10-19J, 光电子动能减小到0时,反向电压即遏制电压,根据动能定理: eU=EK,得U==2.0V 故答案为:3.2×10-19J,2.0V,1.0×1015Hz |
举一反三
图是某金属在光的照射下,光电子最大初动能Ek与入射光频率v的关系图象,由图象可知( )A.该金属的逸出功等于E | B.该金属的逸出功等于hv0 | C.入射光的频率为2v0时,产生的光电子的最大初动能为2E | D.入射光的频率为时,产生的光电子的最大初动能为 |
|
在光电效应实验中,在入射光的颜色一定时,遏止电压与光照强度______(填“有关”或“无关”).用单色光照射某金属光电子的最大初动能取决于入射光的______. |
右图是某金属在光的照射下产生的光电子的最大初动能Ek与入射光频率v的关系图象,由图象可知( )A.该金属的逸出功等于E | B.该金属的逸出功等于hv0 | C.入射光的频率为2v0时,产生的光电子的最大初动能为E | D.入射光的频率为时,产生的光电子的最大初动能为 |
|
铝的逸出功是4.2eV,现在将波长200nm的光照射铝的表面,将逸出光电子,光电子的最大初动能是______J;铝的遏止电压是______V;铝的截止频率是______Hz.(h=6.63×10-34J•S) |
硅光电池是利用光电效应原理制成的器件。下列表述正确的是A.硅光电池是把光能转变为电能的一种装置 | B.硅光电池中吸收了光子能量的电子都能逸出 | C.逸出的光电子的最大初动能与入射光的频率无关 | D.任意频率的光照射到硅光电池上都能产生光电效应 |
|
最新试题
热门考点