在半导体离子注入工艺中,初速度可忽略的离子P+和P3+,经电压为U的电场加速后,垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里,有一定的宽度的匀强磁场区域,如图所
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在半导体离子注入工艺中,初速度可忽略的离子P+和P3+,经电压为U的电场加速后,垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里,有一定的宽度的匀强磁场区域,如图所
题型:浙江
难度:
来源:
在半导体离子注入工艺中,初速度可忽略的离子P
+
和P
3+
,经电压为U的电场加速后,垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里,有一定的宽度的匀强磁场区域,如图所示.已知离子P
+
在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出.在电场和磁场中运动时,离子P
+
和P
3+
( )
A.在内场中的加速度之比为1:1
B.在磁场中运动的半径之比为
:1
C.在磁场中转过的角度之比为1:2
D.离开电场区域时的动能之比为1:3
答案
举一反三
如图所示,A板发出的电子经加速后,水平射入水平放置的两平行金属板M、N间,M、N金属板间所加的电压为U,电子最终打在光屏P上,关于电子的运动,则下列说法中正确的是( )
A.滑动触头向右移动时,其他不变,则电子打在荧光屏上的位置上升
B.滑动触头向左移动时,其他不变,则电子打在荧光屏上的位置上升
C.电压U增大时,其他不变,则电子打在荧光屏上的速度大小不变
D.电压U增大时,其他不变,则电子从发出到打在荧光屏上的时间不变
题型:不详
难度:
|
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如图所示,在xOy坐标系中,将一负检验电荷q由y轴上a点移动到x轴上b点时,需克服电场力做功W
1
,若从a点移到x轴上c点时,需克服电场力做功W
2
,已知W
1
>W
2
.那么关于此空间存在的静电场可能是( )
A.处于第Ⅰ象限某一位置的正点电荷形成的电场
B.处于第Ⅲ象限某一位置的负点电荷形成的电场
C.存在方向沿y轴正方向的匀强电场
D.存在方向沿x轴负方向的匀强电场
题型:不详
难度:
|
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图中P为放在匀强电场中的天放射源,其可以放出三种射线,其中α射线(氦核)带正电,β射线(电子)带负电,γ射线(电磁波)不带电,其放出的射线在电场的作用下分成a,b,c三束,以下判断正确的是( )
A.a为α射线,b为β射线
B.a为β射线,b为γ射线
C.b为γ射线,c为α射线
D.b为α射线,c为γ射线
题型:不详
难度:
|
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如图所示,位于竖直面内的矩形区域内,存在相互正交且恒定的匀强电场和匀强磁场,其中磁场方向垂直于矩形平面,一束带电粒子以相同的水平初速度由A点进入这个区域沿直线运动,从C点离开场区。如果这个区域只保留原来的电场,这束粒子将从B点离开场区;如果这个区域只保留原来的磁场,这束粒子将从D点离开场区。设粒子从C点、B点、D点射出时的动能分别为E
k1
、E
k2
、E
k3
,从A点到C点、B点、D点所用的时间分别为t
1
、t
2
、t
3
,不计空气阻力、粒子之间的相互作用力及其所受的重力。则( )
A.E
k1
=E
k2
=E
k3
B.E
k1
<E
k2
=E
k3
C.t
1
<t
2
=t
3
D.t
1
=t
2
<t
3
题型:不详
难度:
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质量为m的小球,水平通过竖直向下的匀强电场区域,电场强度大小为E,如图所示.求
①小球带何种电荷?
②求小球所带的电量为多少?
题型:不详
难度:
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