四氯化硅还原法是当前制备较高纯度硅的一种方法,有关反应的化学方程式为:SiCl4+2H24HCl+Si下列说法不合理的是A.反应制得的硅可用于制造半导体材料B.
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四氯化硅还原法是当前制备较高纯度硅的一种方法,有关反应的化学方程式为: SiCl4+2H24HCl+Si 下列说法不合理的是A.反应制得的硅可用于制造半导体材料 | B.增大压强有利于加快上述反应的化学反应速率 | C.四氯化硅可以由粗硅与氯气通过化合反应制得 | D.混入少量空气对上述反应无影响 |
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答案
D |
解析
试题分析:所给的反应是工业上提炼高纯度硅的关键反应,A说法合理;增大压强对于有气体参加的反应能加快反应速率,B说法合理;C说法正确;混入空气后硅和氧气反应使所得产物含有二氧化硅而不纯,D说法错误。 点评:熟悉工业上制备高纯硅的化学反应原理和技术问题 |
举一反三
在一定温度下,冰醋酸加水稀释的过程中,溶液的导电能力如图1-14-1所示,请回答: (1)“0”点导电能力为0的理由______。 (2)a,b,c三点溶液的pH值由小到大的顺序为______。 (3)a,b,c三点中电离度最大的是:______。 (4)若使c点溶液中[CH3COO-]增大,溶液的pH值也增大,可采取的措施为: ①______;②______;③______。 |
向某密闭容器中充入1molCO和2molH2O(g),发生反应:CO+H2O (g) CO2 +H2。当反应达到平衡时,CO的体积分数为x。若维持容器的体积和温度不变,起始物质按下列四种配比充入该容器中,达到平衡时CO的体积分数大于x的是A.0.5molCO+2molH2O(g)+1molCO2+1molH2 | B.1molCO+1molH2O(g)+1molCO2+1molH2 | C.0.5molCO+1.5molH2O(g)+0.4molCO2+0.4molH2 | D.0.5molCO+1.5molH2O(g)+0.5molCO2+0.5molH2 |
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(共12分) (1)在某容积不变的密闭容器中,有可逆反应:mA(g)+nB(g)pC(g)+qD(S)△H<0如图某反应过程中各物质物质的量n(mol)随时间t的变化曲线图。
①该反应的平衡常数表达式为(各物质浓度的指数用数值表示): 。 ②若充入A,K值 (填一定增大、一定减小、或可能增大也可能减小、不变);正反应速率____(填增大、减小、不变)。 ③若体积为10升的密闭容器中,500℃、有催化剂存在的条件下,根据图示回答下列问题:在0~15min内的平均反应速率:v(B)= (2)对于某可逆反应:A(g)+B(g)2C(g) △H<0。若该反应的正反应速率与时间的关系如图所示。在其它条件不变的情况下,请填空:
①写出t2时改变的条件可能是: (用文字表达); ②t4时改交的条件可能是 (用编号表示,多选扣分) A.增大压强 B.减小压强 C.使用催化剂 D.升高温度 E.增大A的浓度 |
室温下,将 4 mol A 气体和 2 mol B 气体在 2 L 的密闭容器中混合并在一定条件下发生如下反应:2A(气)+B(气)XC(气),经 2 s(秒)后反应达平衡,测得 C 的浓度为 0.6 mol·L-1 ,B的物质的量为1.4 mol,现有下列几种说法: ①用物质 A 表示的反应的平均速率为 0.3 mol·L-1·s-1 ②反应前容器内的压强与平衡后容器内的压强之比为1:1 ③ 2 s 时物质A的转化率为30% ④ X="2" ⑤室温下该反应的化学反应平衡常数是0.5 ⑥其他条件不变,向容器中再加入1 molC气体,达到新平衡时,C的体积分数不变 其中正确的是( ) |
已知常温常压下, N≡N键的键能是946 KJ/mol 、N-H键的键能是391 KJ/mol、H-H 键的键能是436KJ/mol 。现有甲、乙两个容积相同的定容密闭容器,在常温下:①向密闭容器甲中通入1 mol N2和3 mol H2,达到平衡时放出热量Q1 kJ。②向密闭容器乙中通入0.5 mol N2和1.5 mol H2,达到平衡时放出热量Q2 kJ。则下列关系式正确的是( )A.92>Ql>2Q2 | B.92=Q1<2Q2 | C.Q1=2Q2=92 | D.Q1=2Q2<92 |
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