A.v1>v2 | B.v1<v2 | C.v1≠v2 | D.v1=v2 |
A.磁通量最大,产生的感应电流最大 |
B.磁通量最大,产生的感应电流最小 |
C.磁通量最小,产生的感应电流最大 |
D.磁通量最小,产生的感应电流最小 |
A.磁感应强度B越大,上、下表面的电势差U越大 |
B.k越大,传感器灵敏度(![]() |
C.若图中霍尔元件是电子导电,则下板电势高 |
D.电流越大,上、下表面的电势差U越小 |
A.在匀强磁场中,穿过一个面的磁通量等于磁感应强度与该面面积的乘积 |
B.在匀强磁场中,a线圈的面积比b线圈的大,则穿过a线圈的磁通量一定比穿过b线圈的磁通量大 |
C.把一个线圈放在M、N两处,若放在M处时穿过线圈的磁通量比放在N处时大,则M处的磁感应强度一定比N处大 |
D.同一线圈放在磁感应强度大处,穿过线圈的磁通量不一定大 |
A.当线圈在如图所示位置时,穿过线圈的磁通量大小Φ=BS |
B.当线圈从图示位置转过900时,穿过线圈的磁通量大小Φ=0 |
C.当线圈从图示位置转过1800的过程中,穿过线圈的磁通量的变化量大小ΔΦ= 0 |
D.当线圈从图示位置转过3600的过程中,穿过线圈的磁通量的变化量大小ΔΦ="BS" |
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