(BLv)2 |
R |
2L |
v |
2B2L3v |
R |
1 |
2 |
1 |
2 |
1 |
2 |
2B2L3v |
R |
2L |
v |
E |
t |
B2L2v2 |
R |
mv3 |
2L |
2B2L3v |
R |
2B2L3v |
R |
B2L2v2 |
R |
mv3 |
2L |
A.产生的感应电流方向相反 |
B.所受的安培力方向相反 |
C.进入磁场过程的时间等于穿出磁场过程的时间 |
D.进入磁场过程的发热量少于穿出磁场过程的发热量 |
如图所示,一平放在光滑水平面上的矩形导体框位于匀强磁场区域内,磁场和磁感应强度大小为B,方向沿竖直方向,现以恒定速度v将线框拉出有界的磁场区域.设磁场的边界与线框的一边平行,且线框的总电阻为R,周长为2l,而其长、宽则可以变化,则外力将线框拉出磁场区域的过程中,线框发热量的最大值为( ) |