如图所示,光滑的“Π”形金属导体框竖直放置,质量为m的金属棒MN与框架接触良好,磁感应强度分别为B1、B2的有界匀强磁场方向相反,但均垂直于框架平面,分别处在a

如图所示,光滑的“Π”形金属导体框竖直放置,质量为m的金属棒MN与框架接触良好,磁感应强度分别为B1、B2的有界匀强磁场方向相反,但均垂直于框架平面,分别处在a

题型:不详难度:来源:
如图所示,光滑的“Π”形金属导体框竖直放置,质量为m的金属棒MN与框架接触良好,磁感应强度分别为B1、B2的有界匀强磁场方向相反,但均垂直于框架平面,分别处在abcd和cdef区域.现从图示位置由静止释放金属棒MN,金属棒进入磁场区域abcd后恰好做匀速运动.下列说法正确的有(  )
A.若B2=B1,则金属棒进入cdef区域后将加速下滑
B.若B2=B1,则金属棒进入cdef区域后仍将保持匀速下滑
C.若B2<B1,则金属棒进入cdef区域后可能先加速后匀速下滑
D.若B2>B1,则金属棒进入cdef区域后可能先减速后匀速下滑

答案
A、B、当金属棒进入磁场B1区域后,恰好做匀速运动,说明金属棒所受的安培力与重力大小相等、方向相反.若B2=B1,根据安培力公式FA=
B2L2v
R
得知,金属棒进入B2区域后,金属棒受到的安培力大小不变,由楞次定律得知,安培力方向仍竖直向上,安培力与重力仍平衡,故金属棒进入B2区域后仍将保持匀速下滑.故A错误,B正确.
C、若B2<B1,金属棒进入B2区域后安培力减小,将小于金属棒的重力,棒将先做加速运动,随着速度增加,安培力增大,当安培力再次与重力平衡后,金属棒又做匀速运动.故C正确.
D、若B2>B1,金属棒进入B2区域后安培力增大,将大于金属棒的重力,棒将先做减速运动,随着速度减小,安培力减小,当安培力再次与重力平衡后,金属棒又做匀速运动.故D正确.
故选:BCD
举一反三
如图所示,光滑金属导轨PN与QM相距1m,电阻不计,两端分别接有电阻R1和R2,且R1=6Ω,R2=3Ω,ab导体棒的电阻为2Ω.垂直穿过导轨平面的匀强磁场的磁感应强度为1T.现使ab以恒定速度v=3m/s匀速向右移动,求:
(1)金属棒上产生的感应电动势E
(2)R1与R2消耗的电功率分别为多少?
(3)拉ab棒的水平向右的外力F为多大?
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足够长的平行金属导轨MN和PK表面粗糙,与水平面之间的夹角为α,间距为L.垂直于导轨平面向上的匀强磁场的磁感应强度为B,MP间接有阻值为R的电阻,质量为m的金属杆ab垂直导轨放置,其他电阻不计.如图所示,用恒力F沿导轨平面向下拉金属杆ab,使金属杆由静止开始运动,杆运动的最大速度为vm,ts末金属杆的速度为v1,前ts内金属杆的位移为x,(重力加速度为g)求:
(1)金属杆速度为v1时加速度的大小;
(2)整个系统在前ts内产生的热量.
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如图所示,让闭合矩形线圈abcd从高处自由下落一段距离后进入匀强磁场,从bc边开始进入磁场到ad边刚进入磁场的这一段时间里,图5所示的四个V-t图象中,肯定不能表示线圈运动情况的是(  )
A.B.C.D.

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如图所示,在竖直平面内,一个线圈从某高度自由落下,在下方存在水平方向的匀强磁场,某同学对线圈进入磁场的过程做出如下分析:在进入过程,线圈中产生感应电流,磁场对感应电流存在安培力作用,方向竖直向上,阻碍线圈进入磁场.从而得出下列两个结论:
(1)线圈是减速进入磁场的;
(2)在进入过程中,线圈的加速度大小将小于重力加速度.
请你对该同学的结论是否正确提出自己的观点.要求:适当假设物理量(用符号表示),通过计算分析来说明你自己的观点.
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如图所示,长L1=1.0m,宽L2=0.50m的矩形导线框,质量为m=0.20kg,电阻R=2.0Ω.其正下方有宽为H(H>L2),磁感应强度为B=1.0T,垂直于纸面向里的匀强磁场.现在,让导线框从cd边距磁场上边界h=0.70m处开始自由下落,当cd边进入磁场中,而ab尚未进入磁场,导线框达到匀速运动.(不计空气阻力,且g=10m/s2
求(1)线框进入磁场过程中安培力做的功是多少?
(2)线框穿出磁场过程中通过线框任一截面的电荷量q是多少?
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