已知A、B、C、D和E 5种分子所含原子数目依次为1、2、3、4和6,且都含有18个电子。又知B、C和D是由两种元素的原子组成。请回答:(1)组成A分子的原子的
题型:不详难度:来源:
已知A、B、C、D和E 5种分子所含原子数目依次为1、2、3、4和6,且都含有18个电子。又知B、C和D是由两种元素的原子组成。请回答: (1)组成A分子的原子的核外电子排布式是 ; (2)B和C的分子式分别是 和 ;C分子的立体结构呈 型,该分子属于 分子(填“极性”或“非极性”); (3)若向D的稀溶液中加入少量二氧化锰,有无色气体生成。则D的分子式是 ,该反应的化学方程式为 ; (4)若将1mol E在氧气中完全燃烧,只生成1mol CO2和2molH2O,则E的分子式是 。 |
答案
答案:(1)1s22s22p63s23p6 (2)HCl H2S V 极性 (3)H2O2 2H2O22H2O+O2↑(4)CH4O |
解析
(1)因A有18个电子且只有1个原子,所以A为18号元素Ar,按照核外电子排布规律可以写出其电子排布式为1s22s22p63s23p6 。 (2)B、C两分子均有2种元素组成的,是分别含有2和3个原子的18电子的分子,所以B为HCl,C为H2S,H2S的结构与水分子的结构相似均为“V”型的极性分子。 (3)因为D分子中含有4个原子、2种元素、18个电子,且在溶液中加入MnO2后生成无色气体,所以D为H2O2 。反应的化学方程式为2H2O22H2O+O2↑。 (4)因为1mol E在氧气中完全燃烧,只生成1mol CO2和2molH2O,所以1个E分子中含有1个C原子和4个H原子。又因为E分子中含有6个原子且为18电子分子,因此E中含有的另一个原子为O原子。因此E的化学式为CH4O。 |
举一反三
4p轨道上有3个未成对电子,Y元素原子的最外层2p轨道上有2个未成对电子。X跟Y可形成化合物X2Y3,Z元素可以形成负一价离子。 请回答下列问题: (1)X元素原子基态时的电子排布式为 ,该元素的符号是 ; (2)Y元素原子的价层电子的轨道表示式为 ,该元素的名称是 ; (3)X与Z可形成化合物XZ3,该化合物的空间构型为 ; (4)已知化合物X2Y3在稀硫酸溶液中可被金属锌还原为XZ3,产物还有ZnSO4和H2O,该反应的化学方程式是 ; (5)比较X的氢化物与同族第二、第三周期元素所形成的氢化物稳定性、沸点高低并说明理由 |
和两离子的电子层结构相同,则a等于 ( )A.b-m-n | B.b+m+n | C.b-m+n | D.m-n+b |
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现有部分前四周期元素的性质或原子结构如下表:
元素编号
| 元素性质或原子结构
| A
| 第三周期中的半导体材料
| B
| L层s电子数比p电子数少1
| C
| 第三周期主族元素中其第一电离能最大
| D
| 前四周期呀中其未成对电子数最多
| (1)B单质分子中,含有________个键和__________个键,元素B的气态氢化物的空间型为________________。 (2)C单质的熔点____________A单质的熔点(填“高于”或“低于”),其原因是:_______________ (3)写出元素D基态原子的电子排布式:______________________。 |
请完成下列各题: (1)前四周期元素中,基态原子中未成对电子与其所在周期数相同的元素有 种。 (2)第ⅢA、ⅤA原元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为 。在GaN晶体中,每个Ga原子与 个N原子相连,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为 。在四大晶体类型中,GaN属于 晶体。 (3)在极性分子NCl3中,N原子的化合物为―3,Cl原子的化合价为+1,请推测NCl3水解的主要产物是 (填化学式)。 |
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